Cтраница 4
![]() |
Конструкции фотоэлементов ( а, б, в, г и спектральные характеристики ( д. [46] |
Промышленностью серийно выпускаются электровакуумные фотоэлементы типа СЦВ ( сурьмяно-цезиевый, вакуумный) и типа Ф разных модификаций. Например, фотоэлемент типа Ф-1 имеет наилучшую чувствительность при i0 215 мкм, Ф-3 - при Л 0 750 мкм, Ф-5 - при Л1 1 мкм. [47]
![]() |
Конструкции фотоэлементов ( а, б, в, г и спектральные характеристики ( д. [48] |
Промышленностью серийно выпускаются электровакуумные фотоэлементы типа СЦВ ( сурьмяно-цезиевый, вакуумный) и типа Ф разных модификаций. Например, фотоэлемент типа Ф-1 имеет наилучшую чувствительность при 0 215 мкм, Ф-3 - при Х 0 750 мкм, Ф-5 - при А, 1 1 мкм. [49]
![]() |
Вольт-амперные характеристики газоразрядного фотоэлемента.| Частотная характеристика газоразрядного фотоэлемента. [50] |
Коэффициент газового усиления электровакуумных фотоэлементов достигает 6 - 10, интегральная чувствительность составляет 100 - 300 мкА / лм. [51]
У фоторезисторов и электровакуумных фотоэлементов под воздействием излучения также изменяется сопротивление. Несмотря на это из-за различия процессов, протекающих в фотоэлементах разных видов, их свойства настолько сильно отличаются друг от друга, что все виды фотоэлементов невозможно охарактеризовать одними и теми же параметрами и зависимостями. Даже в тех случаях, когда параметры и зависимости различных видов фотоэлементов имеют одинаковые названия, они не всегда полностью тождественны по физическому смыслу. [52]
Линейная световая характеристика сурьмяно-цезие-вых и серебряно-цезиевых электровакуумных фотоэлементов дает возможность применять их для звукового кино, где запись звука основана на принципе изменения светового потока, проходящего через звуковую дорожку киноленты. Темновой ток фотоэлементов с внешним фотоэффектом объясняется термоэлектронной эмиссией фотокатода, существующей даже при комнатной температуре, а также током утечки фотоэлемента и током электростатической эмиссии. Темновой ток электровакуумных фотоэлементов не превышает обычно десятых долей микроампера. [53]
Фотоэлектронные умножители являются электровакуумными фотоэлементами, включающими в себя фотоэлектронный катод и вторично-электронный умножитель. [54]
Основными характеристиками и параметрами электровакуумных фотоэлементов являются вольт-амперная, световая и спектральная характеристики, внутреннее сопротивление п интегральная чувствительность. [55]
![]() |
Цилиндрическая конструкция электродов диода. [56] |
В группу фотоэлектронных приборов входят электровакуумные фотоэлементы ( электронные и ионные) и фотоэлектронные умножители. К электроосветительным приборам следует отнести лампы накаливания, газоразрядные источники света и люминесцентные лампы. [57]
К группе фотоэлектронных приборов относятся электровакуумные фотоэлементы и фотоэлектронные умножители. [58]
В настоящее время широкое распространение получили электровакуумные фотоэлементы, в которых имеет место возникновение электронной эмиссии с поверхности металла под действием света, и фотосопротивления, основанные на изменении под действием света электропроводности определенных веществ. Открытие фотоэмиссии относится к концу 80 - х годов XIX в. Герц во время своих экспериментов заметил, что если свет электрической искры одного разрядника падает на отрицательный электрод соседнего разрядника, то прохождение искрового разряда в последнем значительно облетается. [59]
Вследствие большого внутреннего сопротивления фотодиодов и электровакуумных фотоэлементов можно считать, что Д / КАФ не зависит от величины сопротивления нагрузки. [60]