Вакуумный газонаполненный фотоэлемент

Cтраница 2

Частотные характеристики фотоэлементов с внешним фотоэффектом. [16]

В табл. 21 - 8 приведены значения основных параметров некоторых типов вакуумных и газонаполненных фотоэлементов. [17]

Фотоэлементы с внешним фотоэффектом представляют собой электронную лампу, в которой падающий на фотокатод свет вызывает эмиссию электронов. Различают вакуумные и газонаполненные фотоэлементы. Относительная спектральная чувствительность фотоэлементов зависит от материала катода. Кривая зависимости фототока от освещенности для вакуумных фотоэлементов строго линейна, для газонаполненных - приближенно линейна. [18]

Источники излучения. а.| Тепловой приемник оптического излучения. [19]

Принцип работы фотоэлектронных приемников основан на использовании внешнего и внутреннего фотоэффекта. Различают вакуумные и газонаполненные фотоэлементы. [20]

Фотоэлектронные приборы являются селективными приемниками излучения, так как их выходной электрический сигнал зависит от мощности и длины волны излучения. К первым относятся вакуумные и газонаполненные фотоэлементы, в которых фотоэмиттер служит источником свободных электронов, ко вторым - большой класс полупроводниковых приемников излучения - фоторезисторы, фотодиоды, фототриоды и другие приборы. [21]

Устройство плоскостной развертки с волоконной оптикой. [22]

Принципы работы ФЭП основаны на явлениях внешнего или внутреннего фотоэффекта. К ФЭП, использующим явление внешнего фотоэффекта, относятся вакуумные и газонаполненные фотоэлементы, фотоэлектронные умножители ( ФЭУ), электронно-оптические преобразователи и некоторые типы передающих ТВ трубок. [23]

Схемы фотоэлектрических методов измерения. [24]

В последнее время начинают применять датчики на полупроводниковых сопротивлениях. Чувствительность ряда новых фотосопротивлений превышает в тысячи раз чувствительность обычных вакуумных и газонаполненных фотоэлементов. [25]

Рассмотрим некоторые типы фотоэлектрических преобразователей. Группа преобразователей, в которых использован внешний фотоэффект, включает вакуумные и газонаполненные фотоэлементы и фотоэлектронные умножители. [26]

Когда в случае полупроводника или диэлектрика энергия падающего излучения hv достаточна только для перевода электрона в зону проводимости, может иметь место лишь внутренний фотоэффект. На этом явлении ( известном как внешний фотоэффект) основано действие вакуумных и газонаполненных фотоэлементов, катоды которых, как правило, представляют собой полупроводниковые материалы. [27]

Существует два вида фотоэффекта: внутренний и внешний. Первый положен в основу создания вентильных фотоэлементов и фотосопротивлений, второй - вакуумных и газонаполненных фотоэлементов. Внутренний фотоэффект ( фотоэффект запирающего слоя) наблюдается при облучении кристалла полупроводника или диэлектрика, что приводит к изменению энергетического состояния электронов кристаллической решетки. Этот процесс сопровождается либо изменением подвижности или концентрации носителей заряда, либо пространственным перераспределением возникших под действием излучения разноименных зарядов ( электрон - дырка), приводящим к накоплению их у разных электродов. Механизм внутреннего фотоэффекта объясняется зонной теорией ( см. стр. [28]

Многие автоматические устройства включают в себя в качестве основного элемента полупроводниковое фотосопротивление, представляющее собой чувствительный индикатор, реагирующий на изменение лучистого потока. Следует заметить, что, помимо фотосопротивлений, существуют и другие виды световых индикаторов. К ним относятся, например, вакуумные и газонаполненные фотоэлементы, в основу устройства которых положено использование внешнего фотоэффекта. [29]

Кривые, характеризующие кинетику установления свойств ФС-А1. [30]

Страницы: 1 2 3