Вентильный фотоэлемент - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Человек, признающий свою ошибку, когда он не прав, - мудрец. Человек, признающий свою ошибку, когда он прав, - женатый. Законы Мерфи (еще...)

Вентильный фотоэлемент

Cтраница 4


Включение вентильных фотоэлементов в схеме фотометра приведено на рис. XIV.9. При непосредственном включении вентильного фотоэлемента в цепь измерительного прибора необходимо, чтобы последний обладал малым внутренним сопротивлением.  [46]

47 Зависимость силы фототока от интенсивности светового потока при различных сопротивлениях гальванометра. [47]

Из вентильных фотоэлементов самыми чувствительными являются серно-таллиевые ( до 10 000 мка.  [48]

Чувствительность вентильных фотоэлементов довольно высока и во многих случаях позволяет обойтись без усиления фототоков.  [49]

50 Спектральная чувствительность серпоталлиевого ( /, серносеребряного ( / /, серносвин-цового ( / / / фотоэлементов. [50]

Использование вентильных фотоэлементов в фотометрии малых световых потоков ограничено неудобством применения усилительных схем. В этом случае более пригодны вакуумные фотоэлементы. Устойчивость работы вентильных фотоэлементов также несколько ниже, чем у вакуумных фотоэлементов, хотя известны экземпляры, работающие без существенного изменения их интегральной чувствительности в д течение 10 лет.  [51]

Преимущество вентильных фотоэлементов перед другими видами заключается в простоте изготовления, отсутствии необходимости в приложении напряжения и в получении больших величин фото токов.  [52]

53 Устройство вентильного фотоэлемента. [53]

Устройство вентильного фотоэлемента показано на рис. 4.14 а. На металлический электрод / нанесен тонкий слой полупроводникового материала 2 ( обычно селена или сернистого таллия), на поверхность которого методом распыления наносится тонкий полупрозрачный слой металла 4, являющийся вторым электродом фотоэлемента. Запирающий слой 3 создается термической обработкой. Так же как и в полупроводниковом диоде, в результате перемещения основных носителей заряда на границе полупроводника и полупрозрачного слоя металла образуется запирающий слой.  [54]

Фоточувствительность вентильных фотоэлементов составляет 2000 - 30000 мка / лм.  [55]

Чувствительность вентильных фотоэлементов высока и может доходить до 20 мА / лм.  [56]

57 Схема тылового и фронтового фотоэлементов.| Зависимость силы фототока от силы светового потока при разных сопротивлениях гальванометра. [57]

Схемы вентильных фотоэлементов изображены на рис. 46, где: а - тыловой фотоэлемент и б - фронтовой; 1 - металлическая подложка, 2 - запирающий слой, 3 - полупроводник, 4 - полупрозрачная пленка металла.  [58]

59 Электрическая схема фотореле на постоянном токе.| Схематическое устройство вентильного фотоэлемента с запирающим слоем. / - контактов кольцо. 2 - золотая пленка. 3 - запирающий слой. 4 - полупроводник ( селен. 5 - стальная пластинка. [59]

Чувствительность вентильных фотоэлементов довольно высока и во многих случаях практики позволяет обойтись без усиления фототоков.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5