Cтраница 4
Включение вентильных фотоэлементов в схеме фотометра приведено на рис. XIV.9. При непосредственном включении вентильного фотоэлемента в цепь измерительного прибора необходимо, чтобы последний обладал малым внутренним сопротивлением. [46]
![]() |
Зависимость силы фототока от интенсивности светового потока при различных сопротивлениях гальванометра. [47] |
Из вентильных фотоэлементов самыми чувствительными являются серно-таллиевые ( до 10 000 мка. [48]
Чувствительность вентильных фотоэлементов довольно высока и во многих случаях позволяет обойтись без усиления фототоков. [49]
![]() |
Спектральная чувствительность серпоталлиевого ( /, серносеребряного ( / /, серносвин-цового ( / / / фотоэлементов. [50] |
Использование вентильных фотоэлементов в фотометрии малых световых потоков ограничено неудобством применения усилительных схем. В этом случае более пригодны вакуумные фотоэлементы. Устойчивость работы вентильных фотоэлементов также несколько ниже, чем у вакуумных фотоэлементов, хотя известны экземпляры, работающие без существенного изменения их интегральной чувствительности в д течение 10 лет. [51]
Преимущество вентильных фотоэлементов перед другими видами заключается в простоте изготовления, отсутствии необходимости в приложении напряжения и в получении больших величин фото токов. [52]
![]() |
Устройство вентильного фотоэлемента. [53] |
Устройство вентильного фотоэлемента показано на рис. 4.14 а. На металлический электрод / нанесен тонкий слой полупроводникового материала 2 ( обычно селена или сернистого таллия), на поверхность которого методом распыления наносится тонкий полупрозрачный слой металла 4, являющийся вторым электродом фотоэлемента. Запирающий слой 3 создается термической обработкой. Так же как и в полупроводниковом диоде, в результате перемещения основных носителей заряда на границе полупроводника и полупрозрачного слоя металла образуется запирающий слой. [54]
Фоточувствительность вентильных фотоэлементов составляет 2000 - 30000 мка / лм. [55]
Чувствительность вентильных фотоэлементов высока и может доходить до 20 мА / лм. [56]
![]() |
Схема тылового и фронтового фотоэлементов.| Зависимость силы фототока от силы светового потока при разных сопротивлениях гальванометра. [57] |
Схемы вентильных фотоэлементов изображены на рис. 46, где: а - тыловой фотоэлемент и б - фронтовой; 1 - металлическая подложка, 2 - запирающий слой, 3 - полупроводник, 4 - полупрозрачная пленка металла. [58]
Чувствительность вентильных фотоэлементов довольно высока и во многих случаях практики позволяет обойтись без усиления фототоков. [60]