Cтраница 2
Обсуждаются свойства поверхности полупроводника, связанные с наличием поверхностных состояний и слоя пространственного заряда. Дана теория области пространственного заряда, которая принимает во внимание как заряды, связаннные с неподвижными примесями, так и подвижные носители тока обоих знаков. Свойства пространственного заряда выражаются через значения потенциала на поверхности и электрохимических потенциалов электронов и дырок, и связываются характеристиками переноса добавочных носителей тока в однородном полупроводнике. Исследуется изменение поверхностной проводимости, вызванное неисчезающим поверхностным избытком электронов и дырок. Сравниваются области пространственного заряда на свободной поверхности и в р-ге-пе-реходе и оцениваются пределы применимости теории пространственного заряда Мотта - Шоттки. Обсуждается распределение поверхностных состояний соответственно модели Браттэна-Бардина. Дается теория опытов по поверхностному фотоэффекту и влиянию внешнего поля при наличии и в отсутствие поверхностных состояний; делается вывод, что в первом случае поверхностные состояния не играют большой роли, а во втором случае пока еще нет необходимых количественных данных. Обсуждается вопрос о соотношении между потенциалом поверхности и контактной разностью потенциалов. На основе развитой теории обсуждаются свойства каналов. Статья заканчивается небольшим разделом, посвященным явлениям с большим временем релаксации. [16]