Фотоэффективность
Cтраница 2
 |
Фотоэффективность различных полупроводниковых детекторов ( числа у кривых - толщина бериллиевого окна. [16] |
Спад эффективности в области меньшей энергии квантов обусловлен главным образом поглощением во входном бериллиевом окне. Уменьшение фотоэффективности начиная с 18 кэВ ( для Si) и 62 кэВ ( для Ge) связано с падением сечения фотоэффекта с ростом энергии у-квантов. [17]
Переход к абсолютным значениям фотоэффективности осуществляется измерением одного или двух источников известной активности. В этом случае кривая относительной фотоэффективности переносится параллельно так, чтобы онз прошла через точки, характеризующие абсолютную фотоэффективность. [18]
Переход к абсолютным значениям фотоэффективности осуществляется измерением одного или двух источников известной активности. В этом случае кривая относительной фотоэффективности переносится параллельно так, чтобы онз прошла через точки, характеризующие абсолютную фотоэффективность. [19]
Лучшие образцы современных Ge ( Li) - детекторов с чувствительным объемом около ] 100 см3 имеют фотоэффективность регистрации у-къантъ в области энергий около 1 МэВ всего в 5 - 7 раз меньше, чем сцинтиллятор Nal ( Tl) размером 75X75 мм. Для исследования рентгеновского излучения применяются Ge ( Li) - детекторы объемом до 5 - 6 см3, энергетическое разрешение которых для квантов с энергией 50 кэВ составляет 1 - 1 5 %, а абсолютная фотоэффективность - около 0 15 при расстоянии источник - детектор 10 мм. [20]
Форма аппаратурного спектра в большой мере зависит от разрешающей способности, размера и эффективного атомного номера детекторов, а также от вещественного состава, размера проб и геометрии измерений. Положение фотопиков на энергетической шкале спектрометра, площадь фотопиков и изменение ее во времени характеризуют энергию, интенсивность у-переходов и эффективный период полураспада. Совокупность этих сведений, данные о фотоэффективности и разрешении спектрометра, о схемах распада нуклидов позволяют во многих случаях однозначно определить основной состав излучателей. [21]
Выражения ( 33) и ( 34) справедливы для случая, когда на интегрирующую ячейку поступают нормированные импульсы с формирователя, несущие постоянный заряд AQ. В случае подключения интегрирующей ячейки непосредственно к ФЭУ постоянство заряда не соблюдается. В зависимости от вида аппаратурного спектра сигнала ( см. рис. 78, б) значение г может колебаться в пределах ( 1 - 1 5), причем чем больше величина фотоэффективности регистрации, тем ближе ц к единице. [22]
Страницы: 1 2