Cтраница 2
Такие лазерные системы, обладающие большим усилением и малой длительностью импульса генерации, уже осуществлены на парах РЬ, Си, Аи, Са, Sr и Мп, а также на благородных газах Не, Ne, Ar, Кг и Хе. Расположение энергетических уровней лазера на самоограниченном переходе показано на рис. 33.6. BepxHift лазерный уровень / возбуждается электронным ударом с основного состояния, а нижний лазерный уровень 2 - метастабилен ( или квазиметастаби. В такой трехуровневой системе при быстром воз буждении уровня / инверсняя населенность между уровнями / и 2 из-за быстрого нарастания населенности нижнего лазерного уровня возможна только на время, меньшее, чем радиационное время жизни верхнего лазерного уровня. [16]
Такие лазерные системы, обладающие большим усилением и малой длительностью импульса генерации, уже осуществлены на парах РЬ, Си, Аи, Са, Sr и Мп, а также на благородных газах Не, Ne, Ar, Кг и Хе. Расположение энергетических уровней лазера на самоограниченном переходе показано на рис. 33.6. Верхний лазерный уровень / возбуждается электронным ударом с основного состояния, а нижний лазерный уровень 2 - метастабилен ( или квазиметастаби. В такой трехуровневой системе при быстром воз буждении уровня / инверсная населенность между уровнями / и 2 из-за быстрого нарастания населенности нижнего лазерного уровня возможна только на время, меньшее, чем радиационное время жизни верхнего лазерного уровня. [18]
Основным недостатком отражательных систем является разрушение анода после одного или нескольких импульсов генерации. Подавление электронного тока в отражательных системах осуществляется облаком осциллирующих электронов. Другой путь решения этой задачи - применение магнитной изоляции - используется в мощных ионных диодах. [19]
![]() |
Кривые зависимости выходной энергии ОГК с управляемой добротностью от начальной величины Д0 инверсной населенности и длины активного вещества. [20] |
Характерным параметром в кинетике образования коротких и мощных импульсов является время развития импульса генерации t0, которое показывает, как быстро при изменении добротности резонатора существенно уменьшается населенность верхнего у ровня. Время А зависит от размеров резонатора, уровня накачки, коэффициентов отражения в системе и для типичных условий составляет 2 10 - 7 сек. [21]
При анализе работы синхронно-накачиваемых лазеров важную роль играет расстроечная характеристика - зависимость длительности импульсов генерации ти от расстройки длин резонаторов накачивающего и накачиваемого лазеров ALLj-LH. В реальных системах расстроечная характеристика имеет вид резко асимметричной резонансной кривой с характерной шириной AL / L-10-6. На практике согласование длин резонаторов осуществляется исходя из условия минимума ширины корреляционной функции интенсивности либо максимума энергии излучения второй гармоники. [22]
В работах другого направления, наоборот, предпринимаются всевозможные попытки, чтобы уменьшить длительность импульса генерации. [23]
Мощность лазерного излучения зависит не только от интенсивности накачки, но и от длительности импульса генерации. [24]
Эффективность использования импульсных твердотельных лазеров в промышленности в большой степени зависит от возможной частоты следования импульсов генерации. Эта частота определяется скоростью охлаждения кристалла, зависящей прежде всего от его температуропроводности и поперечного размера. [25]
Прежде всего, благодаря низким порогам возбуждения и хорошей теплопроводности, он может работать при больших частотах повторения импульсов генерации, далеко выходящих за пределы, допустимые для рубина и стекла. [26]
Рассмотрим в качестве первого типового примера следующую задачу: рассчитать характеристики излучения ( энергию, мощность излучения, длительность импульса генерации) СО2 - лазера, активная смесь которого возбуждается импульсным несамостоятельным разрядом с УФ-предыонизацией от скользящего разряда. [27]
Оптическая схема исследуемого лазера приведена на рис. 6.10. Неоди-мовый стеклянный лазер накачки обращающего зеркала имел следующие характеристики излучения: выходная энергия 1 Дж, длительность импульса генерации 2 мс, расходимость 10 3 рад. [29]
![]() |
Схема упрочнения быстроперемещаю-щейся поверхности неподвижным лазерным лучом. [30] |