Приложенный импульс
Cтраница 2
Импульсная прочность пластмассовой изоляции зависит от температуры, толщины изоляции и полярности приложенного импульса. [16]
Время переключения диода изменяется от 50 до 500 мкс и уменьшается с увеличением приложенного импульса напряжения. [17]
При наличии демпфирования более точно воспроизводится форма импульса, так как уменьшается переходная реакция датчика на приложенный импульс, происходящая на частоте свободных колебаний. [19]
Задача об импульсивном движении состоит и здесь в определении состояния движения после удара, если известны прямо приложенные импульсы и состояние движения до удара. Для этой цели необходимо ввести некоторое дальнейшее условие, которое должно быть получено в любом случае или из физической природы вопроса, или же из некоторого критерия общего характера. [20]
Эта форма уравнений может быть сохранена и для неголономных систем, если под УА подразумевать не только приложенные импульсы, но и импульсы реакций связей, как голономных так и неголономных. [21]
Отсюда следует, что потенциал UK катодов стремится к убыванию; это еще более усиливает действие приложенного импульса. [22]
Волновые скорости (2.97) показывают, что замороженное состояние соответствует движению только матрицы, которая и воспринимает в первое мгновение приложенный импульс, поскольку жидкость лишена градиентальной вязких сил. [23]
Волновые скорости (2.97) показывают, что замороженное состояние соответствует движению только матрицы, которая и воспринимает в первое мгновение приложенный импульс, поскольку жидкость лишена градиентальной вязких сил. [24]
Важно заметить, что образование вихревой пелены, например, в следе движущегося крылового профиля не противоречит теореме об отсутствии вихрей в жидкости, которая начала двигаться из состояния покоя под действием приложенного импульса. [25]
 |
Общий вид реверсора для испытаний стеклопластмасс на ударное растяжение. [26] |
Однако при разработке методики ударных испытаний было найдено, что при использовании демпфированного удара, при котором осуществляется возрастание напряжения на образце с постоянной скоростью в течение 300 - 500 мксек ( 10-в сек, амплитуда паразитных колебаний в системе захват-динамометр резко снижается вследствие уменьшения резонансных частот в спектре приложенного импульса, а также потому, что пластмассы по сравнению с металлами обладают большим внутренним трением, которое демпфирует колебания, возникающие в образце вследствие неточностей приложения ударной нагрузки. [27]
 |
Разрез искрового промежутка с воздушным зазорам 0 0635 мм, применяемого для заземляющих присоединений. [28] |
При приложении к искровому промежутку пробивного напряжения проходит некоторый, хотя и очень небольшой промежуток времени, прежде чем воздушный зазор ионизируется и станет проводящим. Следовательно, если приложенные импульсы перена-лряжений имеют чрезвычайно малую продолжительность, то они могут и не пробить искрового промежутка. [29]
Теперь рассмотрим, что произойдет, когда амплитуда приложенного импульса становится достаточно большой, чтобы происходило восстановление электрохимически активных веществ и мог протекать фара-деевский ток. Сначала возникнет большой скачок тока, а затем ток будет уменьшаться во времени, подобно тому, как и в эксперименте с электролизом при контролируемом потенциале. Так как импульсный фарадеевский ток затухает значительно медленнее, чем ток заряжения, то измерение тока в конце длительности импульса обеспечивает весьма существенное относительное уменьшение тока заряжения ( см. также метод ступенчатой вольтамперометрии в гл. [30]
Страницы: 1 2 3