Фронт - выходной импульс
Cтраница 3
 |
Эквивалентная схема ИЛИ при действии сигнала только по одному входу.| Трансформаторная схема ИЛИ с ди-1 одно-трансформаторными вентилями. [31] |
Заряд этой емкости ( что определяет длительность фронта выходного импульса) происходит через достаточно малое сопротивление отпертого диода. Разряд же, определяющий длительность среза, происходит через сопротивление R и параллельно включенные сопротивления всех и запертых диодов. [32]
После выхода транзистора из насыщения начинается формирование фронта выходного импульса ( см. ывых ш на рис. 3.31) с постоянной времени таых. [33]
После завершения процесса переключения, соответствовавшего формированию фронта выходного импульса, начинается процесс формирования его вершины. [34]
Разбросом величины: t a определяется дрожание фронта выходного импульса в схемах на ТТР. [35]
Яры работе ключа на активно-индуктивную нагрузку длительность фронта выходного импульса тока определяется не только процессами в транзисторе ( см. § 2 - 1, 2 - 2), но и процессами в выходной цепи. [36]
При расчетах использовалась формула (8.24), поскольку при таком коротком фронте выходного импульса практически любой входной импульс может считаться медленно нарастающим. [37]
Нр, которое представляет собой интервал времени между моментом нарастания фронта выходного импульса от значения, соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды. [38]
 |
Экспериментальные зависимости - i - f ( / K для. [39] |
При уменьшении рабочего тока, как было показано выше, увеличиваются фронты выходного импульса, а время рассасывания tp практически сохраняет свою величину, поэтому, начиная с определенного тока, когда сумма времен спада и фронта ts становится много больше / р, можно не учитывать влияния tf на быстродействие транзисторного ключа. [40]
При отпирании диодного ключа импульсным сигналом прямоугольной формы во время формирования фронта выходного импульса, а также на первой стадии передачи плоской вершины ток диода меняется из-за модуляции объемного сопротивления базы и возрастания прямого падения напряжения на диоде. [41]
В зависимости от заданной максимально допустимой частоты переключений и требований к фронтам выходных импульсов в триггере могут быть использованы низкочастотные, среднечастотные или высокочастотные транзисторы, причем в случае применения низкочастотных транзисторов их граничная частота усиления по току / а должна в 3 - 4 раза превышать заданное быстродействие триггера. [42]
В зависимости от заданной максимально допустимой частоты переключений и требований к фронтам выходных импульсов в триггере могут быть использованы низкочастотные, среднечастотные или высокочастотные транзисторы, причем в случае применения низкочастотных транзисторов их граничная частота усиления по току fa должна в 3 - 4 раза превышать заданное быстродействие триггера. [43]
В реальных схемах ( рис. 1 - 9, 1 - 11) фронт выходного импульса непосредственно после момента Т определяется перераспределяющимися токами конденсаторов, которые уменьшаются до нуля с постоянной времени TO, или током диода Д, который увеличивается с той же постоянной времени. [44]
 |
Схема транзисторного ключа на трансформаторах ( а и эквивалентная схема входной цепи ( б. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5