Падающий импульс

Cтраница 1

Исходный падающий импульс, который в момент времени tt0 излучается из плоскости А - А, достигает сечения В - В через определенный промежуток времени ttQ ti среды /, вызывая ее возмущение. При обратном прохождении импульса через слой каждый из многократно отраженных от его границ при прямом прохождении импульсов образует свою сумму, аналогичную тому, как это было рассмотрено при прямом прохождении. Вклад в амплитуду результирующего импульса вносят только те новые, многократно отраженные от границ слоя импульсы, для которых суммарная временная задержка относительно падающего импульса не превышает его длительности. [1]

Время нарастания фронта падающего импульса по измерениям с помощью датчиков падающего импульса составляло примерно 20 25 мкс. [2]

Прямолинейный волновой импульс, движущийся вверх и отражаемый от диагонального барьера. Отраженная часть импульса движется вправо. [3]

Затем повернем отражающий барьер, чтобы падающий импульс не был параллелен ему. На рис. 16.6 видны два прямолинейных волновых импульса: один - приближающийся к барьеру, а другой - отраженный от него. [4]

После лересечения отраженной волны разрежения с концом падающего импульса сжатия в точке t UQ / 2kc, h H - UQ / 2k распространение зоны кавитации влево прекращается. [5]

Тем не менее можно сформировать достаточно мощный и очень короткий падающий импульс так, что фронт импульса отдает энергию ( когерентно1) в среду, которая запасает ее, а затем возвращает ее ( когерентно) назад в импульс. Взаимодействуя с таким импульсом, атомы вещества остаются в своем основном состоянии, суммарный перенос энергии от излучения к веществу равен нулю, а импульс распространяется с постоянной ( меньшей, чем скорость света) скоростью сквозь среду, которая становится как бы прозрачной. Это и есть самоиндуцированная прозрачность. [6]

Отраженная часть импульса распространяется в обратном направлении через хвост падающего импульса и затем вновь отражается от груза. Таким образом, импульс непрерывно движется вверх и вниз по проволоке. Гопкинсона фронт волны напряжения мог пробегать длину проволоки несколько раз до того, как груз М замедлялся настолько, что напряжение падало в несколько раз по сравнению с его значением в голове импульса. [7]

Время нарастания фронта падающего импульса по измерениям с помощью датчиков падающего импульса составляло примерно 20 25 мкс. [8]

При такой скорости разрушения рост несплошнос-тей компенсирует изменение параметров в падающем импульсе нагрузки и тем самым полностью экранирует его. [9]

Если сопротивление нагрузки ZH равно волновому сопротивлению цепи Zc, то энергия падающего импульса будет целиком поглощена сопротивлением нагрузки ( ZH Zc; U0 0; р s 0), отраженной волны в цепи не появится и осциллограмма явления будет иметь вид, изображенный на фиг. [10]

Начальная скорость разрушения при таком времени релаксации в четыре раза превышает скорость расширения в падающем импульсе сжатия. [11]

Искажение волнового профиля вследствие того, что скорость фронта откольного импульса превышает скорость распространения части падающего импульса нагрузки перед ним. [12]

Полученный результат удобно представить через соотношение скорости разрушения Vn V ( PoTm) и скорости расширения вещества в разгрузочной части падающего импульса V fc / p0, а именно: откольный импульс на профиле скорости свободной поверхности формируется только в том случае, когда скорость разрушения более чем в четыре раза превышает скорость расширения в разгрузочной части падающего импульса. [13]

Очевидно, что скорость разрушения, которая может фиксироваться на волновых профилях, должна коррелировать со скоростью расширения вещества в падающем импульсе нагрузки. Откольный импульс появляется на профиле скорости поверхности образца, если разрушение происходит достаточно быстро. Замедленное разрушение вызывает замедленную релаксацию растягивающих напряжений, что приводит к уменьшению крутизны фронта откольного импульса. [14]

Схема волн и эпюры напряжений и скоростей при взрыве заряда на поверхности. [15]

Страницы: 1 2 3 4