Фронт - рост - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
Закон Сигера: все, что в скобках, может быть проигнорировано. Законы Мерфи (еще...)

Фронт - рост

Cтраница 5


61 Линейная скорость роста полипропиленаа [ 1971. [61]

Еще большее замедление может быть следствием медленной диффузии выталкиваемого из фронта роста атактического полимера, что увеличивает эффективную концентрацию атактического полимера на поверхности сферолита по сравнению со средней его концентрацией в расплаве. Кейт и Падден [197] обнаружили, что для атактического полипропилена достаточно высокого молекулярного веса ( выше 3000) при температурах ниже 125 - 130 С начальная линейная скорость роста сферолитов, измеренная с помощью оптической микроскопии, остается неизменной. При таких условиях диффузия была достаточно быстрой для эффективного перемешивания, и потому кончики растущего сферолита всегда прорастали через расплав с одинаковой начальной средней концентрацией атактической примеси. Хотя периметр сферолитов при таких условиях растет быстрее по сравнению с предсказанием, которое учитывает среднюю концентрацию остающегося изотактического полипропилена, вторичные и третичные внутренние разветвления должны расти значительно медленнее ( о механизме разветвления см. разд. Такое поведение изменялось, как только диффузия оказывалась достаточно интенсивной для того, чтобы произошло перемешивание.  [62]

63 Блок-схема системы акустоэмиссионной дефектоскопии. См. пояснения в тексте. [63]

Очевидно, что контроль и регулирование процесса кристаллизации только по положению фронта роста недостаточны. Идеальным вариантом будет контроль по реальной структуре растущего монокристалла, на основании которого следует корректировать процесс роста. Для этого развиваются способы, основанные на методах рентгеновской дефектоскопии, дающие информацию о реальной структуре. Топографическая камера подобна камере Ланга. Топограмма размером 9 х 12 мм2 регистрируется с разрешением 10 мкм видиконом, чувствительным к рентгеновским лучам. Картина накапливается за время от 3 до 10 с.  [64]

Дальнейшая экспансия приводит к достижению критической размерности, соответствующей моменту разрыва фронта роста и потере самосогласованности.  [65]

66 Схема образования грани ( 2 на округлом фронте роста радиусом Гф. 1 - Кристалл, 3 - расплав. TI и Т2 - изотермические поверхности. TI относится к температуре кристаллизации Т0. Т2 - Т0 - ATmaxl АТтаж - максимально допустимое переохлаждение на фронте роста. dlp - средний диаметр грани. h - величина, пропорциональная переохлаждению. [66]

Аналогичный переход, однако, возможен путем уменьшения величины переохлаждения на фронте роста за счет глубокой химической очистки исходного вещества. Такую очистку не всегда можно осуществить, особенно если вещество химически непрочное. Аналогичного эффекта можно также достичь при Гф - со, то есть в случае плоского фронта роста. К сожалению, из-за изменяющихся условий роста обеспечить плоский фронт на протяжении всего процесса кристаллизации практически невозможно.  [67]

Для изучения термодиффузионных процессов достаточно решения задачи Стефана [98], если на фронте роста действует только механизм нормального роста, а фронт имеет форму изотермической поверхности.  [68]

69 Нахождение критического размера. [69]

Если угловые сегменты от всех граничных частиц не покрывают полностью плошади кластера, фронт роста разрывается, дальнейшее самосогласованное поведение всех частиц кластера невозможно, рост кластера прекращается.  [70]

71 Схема способа герметизации контейнера. I - пробка. 2 - герметизирующее вещество. 3 - контейнер. [71]

Так как в случае метода Бриджмена при высоких температурах невозможно визуально наблюдать положение фронта роста, то процесс кристаллизации ведут либо в режиме спонтанного зарождения, либо в режиме кристаллизации на затравку. Во втором случае предварительно с помощью термопары устанавливается определенное распределение температуры на нагревателе и находится область, в которой температура соответствует температуре плавления исходного вещества. Именно в этой области располагают контейнер с затравочным кристаллом таким образом, чтобы перед началом кристаллизации указанный кристалл частично ( примерно наполовину) расплавился.  [72]

Двойникование происходит по наклонным плоскостям 111, обращенным к расплаву и определяющим форму фронта роста. Кристаллизация на наклонных гранях 111 происходит послойно и сопровождается периодическим изменением высоты видимой границы раздела фаз в местах проявления октаэдрических граней. Двойникование в монокристаллических стержнях замечено по той наклонной грани 111, послойный рост которой идет в направлении 211 с наименьшей тангенциальной скоростью роста. После двойникования наклонная грань 111 зарастает в направлении типа 211 с наибольшей тангенциальной скоростью роста.  [73]



Страницы:      1    2    3    4    5