Тактирующий импульс

Cтраница 2

Длительность положительного тактирующего импульса ориентировочно должна быть больше времени прохождения ( зад) сигнала через 3 модуля И-НЕ. Аналогичные условия должны соблюдаться и в паузе между двумя тактирующими импульсами, когда информация переписывается в выходной триггер. С учетом сделанных замечаний минимальный период тактирующих импульсов должен быть больше 6 / зад. [16]

Принципиальная схема двухтактного сдвигающего регистра на двухэмиттерных транзисторах. [17]

С приходом тактирующего импульса 77 / 2 закрываются по одному эмиттерному переходу у транзисторов Т3, Tk, а через вторые эмиттерные переходы этих транзисторов протекает ток, определяемый состоянием первого триггера. [18]

После окончания тактирующего импульса напряжение на туннельных диодах исчезает, но конденсаторы не успевают значительно разрядиться до прихода следующего тактирующего импульса 77 / 1, так как длительность импульса больше паузы. [19]

После окончания тактирующего импульса начинается разряд входных емкостей. [20]

После окончания тактирующего импульса ( Т 0) вентиль HI закроется, но поскольку будет открыт вентиль Я2, то состояние, принятое триггером во время действия ТИ, не изменится. [21]

После окончания тактирующего импульса ( ТИ 1) включается В3, фиксируя состояние основного триггера Q 1, а уровень Q О остается без изменения. [22]

Параллельный регистр на однофазных триггерах. [23]

При поступлении тактирующего импульса СП 0) закрываются В0 и вентили И0 обратных связей D-триггеров. [24]

Функциональная схема / / ( - триггера и его условное обозначение. [25]

По первому тактирующему импульсу входная информация заносится в первый триггер. После окончания тактирующего импульса ТИ4 приходит второй тактирующий импульс ТИь который открывает входные клапаны второго триггера и приводит его в такое же состояние, как и состояние первого триггера. Приходящий второй по счету импульс THi запишет новую входную информацию в первый триггер и произведет запись в третий триггер. [26]

Эквивалентная схема заряда конденсатора. Ra - выходное сопротивление генератора тактирующих импульсов при низком потенциале на выходе. Явых - выходное сопротивление источника сдвигаемых импульсов ( в общем случае это выходное сопротивление насыщенного плеча триггера.| Эквивалентная схема разряда конденсатора. Я - сопротивление генератора тактирующих импульсов при высоком потенциале. гд - прямое сопротивление диода Д, (. гвх - усредненное входное сопротивление транзистора Г, (. т - напряжение, до которого заряжен конденсатор С. 140. [27]

Пренебрегая длительностью фронта тактирующего импульса, рассмотрим эти процессы более подробно на примере первого каскада. До начала положительного фронта тактирующего импульса при входной информации, как на рис. 4.4, конденсатор С2 разряжен ( на его верхней и нижней обкладках напряжение - Е), а конденсатор Ci заряжен до - Ек. [28]

Необходимость стабилизировать амплитуду тактирующих импульсов является серьезным недостатком приведенной схемы. Другим недостатком регистра является его низкая помехозащищенность. Туннельные диоды имеют высокие скорости переключения, которые достигают гигагерц, поэтому высокочастотные помехи, выбросы на тактирующих сериях могут быть причиной сбоя информации. Максимальная рабочая частота схемы определяется, как правило, паразитными емкостями ячеек, а также возможностью построения генератора тактирующих импульсов на высоких частотах. В настоящее время регистры на туннельных диодах могут работать на частотах до 100 - 200 МГц. При работе регистра на частотах ниже максимальной для повышения помехозащищенности схемы желательно шунтировать туннельные диоды конденсаторами, величину емкостей которых следует выбирать из условия обеспечения их заряда за время перекрытия двух соседних импульсов. [29]

Цикл начинается с приходом тактирующего импульса на устройство прерывания. В начале каждого цикла производятся последовательный опрос и преобразование в цифровую форму сигналов датчиков. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5