Cтраница 2
В блоке ТРБ-ЗЮН в момент прихода импульса тока, выработанного датчиком, реле переходит в обесточенное состояние, и его якорь отпускается. При работе блока ТРБ-ЗЮП входной импульс тока, выработанного датчиком, вызывает притягивание якоря электромагнитного реле. [16]
Частотная характеристика точечноконтактного триода, выражающая обычно зависимость коэффициента усиления от частоты, может быть получена при помощи обычных измерений при малых сигналах. Для такого исследования в качестве примера взята простая схема, показанная на рис. 12.45 а. Входной сигнал на эмиттере есть постоянный токовый прямоугольный импульс, создаваемый импульсом напряжения на большом сопротивлении; выходной сигнал в данном случае снимается с малого сопротивления в коллекторной цепи. На рисунке 12.45 6 показана характеристика кристаллического триода при малых входных импульсах тока. На рисунке 12.45 6 входной импульс тока выбран такой величины, что работа кристаллического триода происходит почти в области насыщения. [17]
Частотная характеристика точечноконтактного триода, выражающая обычно зависимость коэффициента усиления от частоты, может быть получена при помощи обычных измерений при малых сигналах. Для такого исследования в качестве примера взята простая схема, показанная на рис. 12.45 а. Входной сигнал на эмиттере есть постоянный токовый прямоугольный импульс, создаваемый импульсом напряжения на большом сопротивлении; выходной сигнал в данном случае снимается с малого сопротивления в коллекторной цепи. На рисунке 12.45 6 показана характеристика кристаллического триода при малых входных импульсах тока. На рисунке 12.45 6 входной импульс тока выбран такой величины, что работа кристаллического триода происходит почти в области насыщения. [18]
Скорость переключения ограничивается тем, что переход схемы, например триггера, из одного состояния в другое происходит с некоторым запаздыванием. В триггерах такое явление называют явлением засыпания. Сущность явления засыпания заключается в следующем. При большой амплитуде сигнала, когда транзистор находится в режиме насыщения тока, главную роль илрает эффект иакопления неосновных носителей зарядов. В этом случае напряжение на коллекторе мало, на границе база - коллектор скапливается большое количество неосновных носителей и ток коллектора не зависит от величины тока эмиттера. При резком изменении тока эмиттера изменения тока коллектора запаздывают, так как требуется время, чтобы рассосались неосновные носители. Когда входной импульс тока велик, транзистор может оставаться в состоянии насыщения в течение значительного времени после окончания импульса и переключение схемы запаздывает относительно спада импульса. [19]