Отрицательный импульс - ток
Cтраница 3
Гнездо ПД1 ( 25 / 12) - переключатель действия предназначается для включения операции деления. Это гнездо коммутируется с гнездами П ( 34 / 18) постоянным датчиком отрицательного импульса тока. Гнездо ПД ( 24 / 12) выведено от кулачкового контакта Г-54 и является источником положительного импульса. Используется в тех случаях, когда составляется схема коммутации для попеременного умножения и деления. Гнездо П ( 21 / 13) выведено от кулачкового контакта Г-40. Гнездо П ( 22 / 13) предназначено для выполнения действий умножения и деления. Эти гнезда соединяются между собой. Гнездо ПД1 ( 26 / 12) значения не имеет. [31]
При изменении геометрических размеров и степени легирования внутренних слоев полупроводниковой структуры удалось изготовить полностью управляемые, или двухоперационные, тиристоры. Отличительной их особенностью является возможность разрывать анодный ток с помощью цепи управления, например подачей на управляющий электрод отрицательного импульса тока. Это преимущество полностью управляемых тиристоров перед обычными позволяет их использовать в качестве бесконтактных выключений постоянного тока. [32]
Три двухступенчатых общих селектора предназначены для продления действия надсечки на два цикла после ее восприятия. Включение селекторов откладки производится через гнезда Вкл.общ.сел. ( 41 - 49 / 18), которые являются приемниками отрицательных импульсов тока. Например, первый общий селектор включается от надсечки, воспринятой щеткой первого воспринимающего блока пробивного устройства. Для включения общего селектора гнездо Вкл.общ.сел. 1 скоммутировано с гнездом зоны Щетки перв. В конце второго цикла на 11 - й позиции образуется следующая цепь ( рис. 38): полюс, R265, R401, реле первой ступени общего селектора POC1 - I ( 279, 280), контакт 222 - 1 ( замкнут только по 11 - й позиции), диод Д53, гнезда ВОС1 ( 41 - 43 / 18), шнур, гнездо Щетки первые пробивного механизма, контакты 42 - 1 2; 41 - 1 2, кулачковый контакт Г-41, полюс. [33]
Для считывания цифры, записанной сердечником указанного адреса, используют первую часть основного цикла, а затем, если считываемая цифра имеет значение 1, ее записывают снова в тот же сердечник во время второй части основного цикла. Считывание происходит фактически в момент, когда по строке и столбцу матрицы, проходящих через выбранный сердечник, проходят отрицательные импульсы тока. [34]
Магнитная запись двоичных чисел производится импульсами электрического тока длительностью порядка нескольких микросекунд. Эти импульсы образуют на ферромагнитной поверхности барабана магнитные диполи: значению 1 соответствует положительный импульс тока, а значению 0 соответствует отрицательный импульс тока ( фиг. [35]
Гнездо постоянного минуса П - ( 34 / 18, 5Б), как и гнездо постоянного плюса, можно использовать для создания различных коммутационных элементов. Так как большее количество коммутационных гнезд табулятора ТА80 - 1 имеет положительную полярность, гнездо П - имеет исключительное значение для создания коммутационных элементов, где необходимы гнезда отрицательных импульсов тока. [36]
На рис. 102 показаны изменения мембранного потенциала при возбуждении клетки небольшими прямоугольными импульсами тока. Степень изменения определяется количеством электричества, перенесенного в импульсе тока. При отрицательных импульсах тока мембранный потенциал сдвигается в область более отрицательных значений - мембрана ги-перполяризуется. Ток противоположного направления ( положительный ток) деполяризует мембрану. Потенциал падает до нуля, а затем увеличивается до положительных значений. При достижении импульсом тока некоторого порогового значения наблюдается неожиданно резкое увеличение мембранного потенциала, называемое спай-ком или потенциалом действия. Дальнейшее увеличение амплитуды импульса тока не влияет на величину потенциала действия. При достаточно сильном возбуждении мембраны происходит значительное увеличение проницаемости мембраны для ионов натрия. Возвращение мембранного потенциала к потенциалу покоя сопровождается поступлением ионов натрия из межклеточной жидкости в аксон. [37]
 |
Схема времяимпульсного измерительного преобразователя активной мощ. [38] |
Широтно-импульсный модулятор UB Т представляет собой активный элемент сравнения - компаратор на интегральном операционном усилителей / с общим инвертирующим входом, к которому подводятся ток i, пропорциональный перемножаемому току /, преобразованному балластным резистором RQ в напряжение, и ток г т от генератора G с треугольной формой кривой. Ток / м переключает транзистор РТна неинвертирующем входе интегрального операционного усилителя А2, образующего с указанным транзистором амплитудно-импульсный модулятор UBA. В течение отрицательного импульса тока / м транзистор закрыт и усилитель А2 находится в дифференциальном ( Д) включении. Таким образом, противоположность знаков напряжения и и соотношение длительностей его положительного и отрицательного импульсов сохраняются такими же, как и тока / н, а абсолютное значение ( высота) импульсов пропорционально дискретизованному ( периодом 7 0) мгновенному значению ип напряжения. [39]
Тогда катодная группа выпрямителя будет образована диодами VD1, VD4 и тиристором VS. Так же как и в схеме рис. 61, разрядный импульс тока аккумуляторов формируется здесь электрическими емкостями С1 и С5 соответственно в катодной и анодной группах. Амплитуда, длительность и частота отрицательных импульсов тока аккумуляторов определяются значением угла управления тиристора и алгоритмом работы блока управления БУ. [40]
 |
Схема феррито-вой матрицы. [41] |
Упрощенная схема ферритовой матрицы для запоминания и воспроизведения 16 одноразрядных двоичных чисел представлена на рис. 22.17. По каждой из шин х, х2, хз, х4 и i / i, у2, уз, У можно подавать импульсы тока / с / 2, где / с - ток срабатывания ( перемагничива-ния) ферритового кольца. Предположим, что по адресу х2у надо записать 1, а по адресу х у - О. Если на шины jc4 и у одновременно подать отрицательные импульсы тока ( - / с / 2), срабатывает только одно колечко на пересечении шин х4 и у, которое намагнитится в обратном направлении и будет хранить информационный О. Аналогичным образом записывают числа и в другие ячейки матрицы. [42]
 |
Схема управляющего устройства на туннельном диоде и транзисторе. [43] |
Если на вход устройства подать импульс тока, который увеличит ток диода до значения, превышающего / шах, то туннельный диод переходит в другой режим ( точка Б), который назовем режимом с большим напряжением. Вернуться в режим с малым напряжением диод может при подаче отрицательного импульса тока, который уменьшит ток диода до значения, меньшего / тщ. [44]
В процессе выключения при биполярном режиме обратносмещенный управляющий переход осуществляет вынос инжектированных дырок, находящихся в области канала. На этапе формирования потенциального барьера в канале дырки попадают в ускоряющее поле, втягивающее их в затвор Электроны, наоборот, оттесняются данным полем к оси канала и к стоковой области. В результате происходит интенсивное рассасывание накопленного заряда, сопровождающееся протеканием относительно большого по амплитуде отрицательного импульса тока затвора. Выключение СИТ в данном режиме качественно аналогично переключению диода из прямого состояния в обратное. [45]
Страницы: 1 2 3 4