Короткий отрицательный импульс

Cтраница 1

Схема триггера на транзисторах п - р - п-типа.| Принцип построения схемы пересчета числа импульсов. [1]

Короткий отрицательный импульс, поступивший н з вход, не проходит на базу / 7 / 7 /, по пройдет на базу / 7 / 72 и закроет триод. Теперь все потенциалы поменяются местами и следующий отрицательный км-пульс не пройдет на базу ПП2, но пройдет на ПП1 и снова вызовет переход триггера в состояние О. [2]

При подаче короткого отрицательного импульса на вход ( рис. 8 - 8, б) транзистор Ti открывается и напряжение конденсатора С положительным полюсом оказывается приложенным к базе транзистора Т, что приводит к его запиранию. [3]

На вход системы поступает последовательность коротких отрицательных импульсов - не обязательно через равные интервалы времени. [4]

На контакте 8 3 должны поочередно появляться короткие отрицательные импульсы напряжением 5 - 6 В с частотой меток времени измерения. На контакте 6 Е появляются положительные строб-импульсы от - 1 5 В до 0 5 В и длительностью, равной периоду меток времени измерения, на контакте Н - импульс подготовки отрицательной полярности величиной - 10 В и длительностью 500 - 700 мкс, на контакте 7 Ж и точке К. [5]

Диод Mi открыт только во время действия короткого отрицательного импульса запуска. Все остальное время диод Mi закрыт; следовательно, цепь запуска и источник импульса запуска не влияют на процессы, происходящие в схеме мультивибратора. [6]

Формирование импульсов заданной длительности т при действия коротких отрицательных импульсов входного напряжения возможно и в схеме рис. 5.87. Входной сигнал имеет единичный уровень. [7]

Цифровой вольтметр с двойным интегрированием. [8]

В момент окончания импульса 7 его срез дифференцируется цепочкой ДЦ и короткий отрицательный импульс переводит триггер Тг в состояние /, открывающее временной селектор ВС. [9]

Эквивалентные схемы для открытого ( а и закрытого ( б транзисторов триггера. [10]

Для переключения схемы в другое устойчивое состояние необходимо приложить к базе закрытого транзистора короткий отрицательный импульс или к базе открытого транзистора - положительный - импульс. [11]

Их подход основан на потенциостатическом изучении осаждения металла на угольной подложке двухимпульсным методом; первый короткий отрицательный импульс служит для образования центра кристаллизации, а переходные значения переменных, полученные из данных по наложению второго устойчивого и менее отрицательного потенциала, можно непосредственно проанализировать для детализации кинетики роста решетки подобно тому, как это делается при изучении анодной электрокристаллизации. Применение метода позволяет надеяться на достижение значительных успехов в решении поставленных вопросов, хотя на основе только кинетических наблюдений все еще можно привести доводы, показывающие, что невозможно отличить поверхностную диффузию от непосредственного осаждения металла, даже если определена геометрия роста. В этих работах было исследовано осаждение на микроскопической грани ( 100) монокристалла серебра, не содержащей дислокаций. В этом случае кривые i - t и f - t относятся к процессу двумерного роста простых зародышей моноатомной высоты, а кинетические данные - к включению на ребро. [12]

По фронту импульсов одновибратора элемент DD 1.3 совместно с конденсатором С2 и резистором R5 формирует короткие отрицательные импульсы. [13]

Переброс триггера из одного состояния в другое осуществляют, например, путем подачи короткого положительного импульса на базу или короткого отрицательного импульса на коллектор закрытого транзистора. [14]

Переключатель ВРЕМЯ ИЗМЕРЕНИЯ переводится в поло - Нсение ImS. На контакте 12 М должны быть короткие отрицательные импульсы величиной 3 В с частотой 1 кГц, на точке КТ1 - короткие отрицательные импульсы, показанные на осциллограмме. Переключатель ВРЕМЯ ИЗМЕРЕНИЯ поочередно переводится в положения 10mS, О IS, IS, 10S, на контактах 2М должны соответственно появляться напряжения 3 В с часто-тотой 100, 10, 1 и 0 1 Гц. В случае неисправности необходимо проверить декадные делители. Работоспособность платы проверяется при изменении питающих напряжений 4Ви - 4Вв пределах 20 % от номинала. [15]

Страницы: 1 2