Указанный импульс

Cтраница 2

Изменение концентрации выходящего потока в результате возмущения по составу подводимого потока. [16]

На рис. IV-5 представлена качественная картина изменения концентрации вещества А в реакторе при воздействии указанного импульса. [17]

Схема вибрационного датчика положения фронта роста. См. пояснения в тексте. [18]

Таким образом, расстояние от излучателей до фронта роста определяется по временному интервалу между указанными импульсами и значением скорости распространения ультразвука в монокристалле и расплаве. Следует иметь в виду, однако, что из-за наличия в монокристалле градиента температуры распространение ультразвуковых колебаний происходит в акустически неоднородной среде. Поэтому одновременно с ультразвуковым зондированием измеряется распределение температуры вдоль распространения ультразвуковых колебаний, либо усредняются значения скоростей ультразвука в кристалле в диапазоне измерений температуры. При этом предполагается, что использование усредненного значения допустимо в связи со слабой зависимостью модуля Юнга от температуры монокристалла. [19]

Оба импульса при расчетах можно считать остроконечными косинусоидальными; результирующий ток эмиттера следует определять после разложения указанных импульсов в ряд Фурье с учетом взаимного фазового сдвига между импульсами. [20]

Смотря по тому, предполагать ли удары тела с отдельными частицами окружающей его среды упругими или неупругими, получаются различные значения для указанного импульса. [21]

Этот импульс равен приращению количества движения молекулы, а так как при ударе о стенку изменяется только нормальная составляющая количества движения молекулы, то указанный импульс равен, следовательно, разности mwcoscp - ( - macoscp) 2 mucosy. На основании третьего закона Ньютона такую же величину импульса молекула передает оболочке при каждом ударе. Так как путь, проходимый молекулой в 1 сек. [22]

Однако в ее основе лежит новый принцип, состоящий в точном преобразовании входного напряжения в длительность импульса и подсчете разности длительностей времени интегрирования и указанного импульса. Преимуществом такой схемы является отсутствие коммутирующих элементов в цепи входного сигнала. [23]

Рз / 2 - Это следует из того, что полный импульс замкнутой оболочки равен нулю, а для этого необходимо, чтобы импульс ( и состояние) удаляемого электрона совпадал с импульсом возникающего состояния атома. Указанные импульсы должны отличаться только направлением. [24]

Обостряющая RLC цепь, а - схема генератора напряжения. б - схема генератора гака. [25]

Указанный импульс должен быть получен из селекторного импульса амплитудой 100 в и временем нарастания 1 мксек. Сопротивление источника селекторного импульса составляет 1 000 ом. [26]

При срабатывании чувствительного ПОБ1 через элемент DW1 ( см. схему логической части БК) запускается одновибратор DS1, на выходе которого формируется одиночный импульс заданной длительности - от 0 1 до 0 8 с. Дальнейшее прохождение указанного импульса контролируется реле сопротивления I или II ступени ( выходной сигнал элемента DW3 в схеме логической части защиты) на элементе И DXI, чем предотвращаются пуски защиты при внешних КЗ вне зоны ее действия и коммутациях нагрузки. [27]

Гармонический корректор устанавливается на оконечной приемной станции. При настройке корректора указанные импульсы наблюдаются на осциллоскопе на выходе приемной станции. [28]

Положительный фронт выходного напряжения ( на рис. 15 - 12 это фронт потенциала t / K2) задержан на величину вх, и ему предшествует положительный импульс, обусловленный непосредственным прохождением входного сигнала на выход через ускоряющую емкость. При большой величине сигнала указанный импульс может оказаться сравнимым с Ек, что, конечно, весьма нежелательно. [29]

Схема источника питания на микросхеме. [30]

Страницы: 1 2 3 4