Cтраница 1
Применяемая функция в этом случае всегда является замыканием, которое мы будем представлять в виде пары [ В Е ], где В - это тело замыкания ( ПГ), а Е - это контекст. [1]
Очень часто применяемая функция АТОМ может служить примером предиката. Ее аргументом ( единственным) может быть любое выражение. Значение функции равно Т, если значение аргумента - атом, и NIL, когда значение аргумента - не атом. [2]
Если все применяемые функции линейны, то можно налагать некоторое число отдельных решений, образуя новые функции, которые также являются решениями. [3]
Строгий отбор наиболее часто применяемых функций и их интеграция на одной плате обеспечили создание программируемого МК общего назначения, который может быть использован как в одно -, так и в многоплатных вариантах. По сути МК является модулем, служащим при построении микроЭВМ ее центральным элементом. Для этого он должен быть расширен отдельной платой основного ОЗУ [14] и средствами связи с внешней памятью. В автономном варианте МК может быть полезен при построении разумного сетевого контроллера, через который осуществляется подключение к локальной сети дисплеев, принтеров, накопителей и других ПУ со стандартными интерфейсами типа ИРПР или ИРПС. Другая область применения МК связана с разработкой специализированных автоматизированных систем и комплексов. [4]
![]() |
Весовая функция для повышения разрешения, содержащая в себе аподиза-ционное окно Хэнниига для подавления пульсаций. [5] |
Ниже мы рассмотрим некоторые широко применяемые функции повышения разрешения. Обсуждать подробно более ранние методы, такие как интегродифференциальный метод [4.46], мы не будем. [6]
К сожалению, для многих часто применяемых функций ( например, дельта-функция, единичная ступенчатая функция, cos t, sin /) преобразования Фурье не существует в обычном смысле. Удобно обобщить технику преобразований Фурье и на эти функции. [7]
Нам необходимо использовать свойства обоих рассмотренных интерпретаторов: если применяемой функцией является lazytuple-n, то мы должны сформировать задержку из ее аргументов, иначе необходимо вычислить эти аргументы, как в случае энергичного интерпретатора. [8]
При этом х должен быть таким, чтобы он находился в области определения первой из применяемых функций. [9]
При атом х должен быть таким, чтобы он находился в области определения первой из применяемых функций. [10]
Должно быть ясно теперь, что при таком подходе код для каждой функции ( поля операндов и списки выходов каждой инструкции) не изменяется при вычислении функции. Отсюда следует, что копирование тела применяемой функции в стек не является необходимым. [11]
Если сравнивать оба метода, метод Фурье и энергетический, при помощи результатов работы Юнга, то необходимо отметить, что энергетический метод был использован для исследования более трудной по сравнению со случаем круго-во го выреза задачи пластинки с квадратным вырезом. Однако при исследовании рассматриваемой задачи методом Фурье возможна корректировка применяемых функций, в то время как при использовании энергетического метода его эффективность без некоторых важных членов снижается. [12]
Прежде всего следует отметить, что все встроенные функции языка, рассмотренные в § 1.5, кроме HIGH и LOW, могут использоваться для обработки элементов массива. Возвращаемое значение в этом елу-чае представляет собой массив, элементы которого являются результатом действия применяемых функций к элементам начального значения. [13]
Оценка функции распределения напряжения пробоя изолирующих промежутков в масле или другой жидкости выполняется не так просто, как это было показано для газов ( см. § 4.2 и 4.3), поскольку последнее достигнутое состояние жидкости определяет математическое ожидание и дисперсию напряжения пробоя. Новые работы в области пробоя в масле также относительно редки, так что здесь будут указаны применяемые функции распределения. [14]
По своей сути это вариант VRAM с увеличенной приблизительно на 25 % пропускной способностью и поддержкой некоторых часто применяемых функций, например создание шрифтов, перемещение блоков изображения и т.п. Разработана фирмой Samsung. Так же, как и VRAM ( см. ранее) является двухпортовой памятью. Может работать на частотах до 50 МГц; имеет пропускную способность 180 Мбайт / с. Благодаря более совершенной конструкции, чем VRAM, содержит меньшее число полупроводниковых компонентов и стоит примерно на 20 % дешевле. В этой памяти оптимизированы функции быстрой обработки текстовых и цветовых заполнений. [15]