Хааса

Cтраница 2

Более грубое определение магнитомеханического фактора, представляющее, однако, большой принципиальный интерес, возможно на основе рассмотрения таких важнейших магнитомеданических явлений, как эффект Барнетта и эффект Эйнштейна - де Хааса. [16]

Одна из полученных ими кривых поглощения показана на фиг. Эффект де Хааса - ван Альфена, наблюдавшийся в металлах1), также обусловлен превращением непрерывного спектра энергии свободных электронов в полосатый спектр вследствие квантования энергии в сильном магнитном поле. [17]

Кривые, иллюстрирующие участие фононов в туннельном эффекте ( по данным Холла. [18]

Исследование вольтамперной характеристики туннельного диода в сильных магнитных полях [67] позволяет определять эффективную массу носителей заряда. Такое определение основано на известном эффекте де - Хааса - ван - Альфена. [19]

Осиновая древесина, размалывавшаяся на шаровой вибрационной мельнице в течение 5 ч, имела растворимость, сходную с растворимостью еловой древесины. Обработка размолотой древесины энзимом № 19 Рома и Хааса в течение 3 дней дала 22 4 % энзиматического лигнина с 14 7 % углеводов. Растворимость этого лигнина приближалась к растворимости энзиматического лигнина из еловой древесины, за исключением того, что первый был растворимым и в 50 % - ном этаноле. После гидролиза энзиматического лигнина были получены все типы Сахаров, обнаруживаемые в осиновой древесине. [20]

Это явление вызвано весьма сильным искривлением зон проводимости в InSb и InAs, в результате чего вырождение наступает при относительно низких концентрациях электронов. В этом случае рассматриваемые материалы ведут себя в некоторой степени аналогично металлам, но имеют гораздо меньшую концентрацию электронов. Осциллирующее магнетосопротивление имеет ту же природу, что и эффект де Хааса - ван Альфена, а именно оно характеризуется постепенным сокращением числа занятых уровней Ландау по мере увеличения напряженности магнитного поля. Для наблюдения осциллирующего магнетосопротивления в поле Я следует удовлетворить двум противостоящим условиям. Ввиду очень малых эффективных масс электронов в InSb и InAs - типа эти два условия одновременно удовлетворяются при достижимых магнитных полях. [21]

Страницы: 1 2