Халькогениды - цинк
Cтраница 1
 |
Основные физические свойства соединений типа AII. BV. [1] |
Халькогениды цинка в основном применяют в качестве кристалло-фосфоров в электролюминесцентных устройствах. [2]
Халькогениды цинка и кадмия практически нерастворимы в воде и в разбавленных соляной и серной кислотах. [3]
Халькогениды цинка и кадмия имеют, как правило, по нескольку модификаций, из которых основными для всех соединений являются сфалерит и вюртцит. Для соединений группы AIIBVI сфалерит-низкотемпературная модификация, а вюртцит - высокотемпературная. [4]
 |
Физико-химические свойства халькогенидов меди ( 3, 48, 51, 69, 204. [5] |
Как видно из табл. 20, все халькогениды цинка, кадмия и ртути являются полупроводниками. [6]
Халькогениды цинка и кадмия существуют по крайней мере в виде двух модификаций. Характер полиморфных структур зависит от условий синтеза. В работе [247] приводится краткий обзор работ в этой области, а также описание метастабильной модификации селе-нида цинка с чередованием двух - и трехслойных участков, соответствующих гексагональной и кубической упаковкам. Приводится также описание модификаций теллуридов цинка и кадмия. [7]
Халькогениды цинка и кадмия обладают широкой запрещенной зоной с прямыми переходами, а также имеют высокую квантовую эффективность фотолюминесценции ( 0 3 - 0 9 %) при комнатной температуре даже при малых плотностях возбуждения и довольно высокую для широкозонных соединений концентрацию и подвижность носителей тока; поэтому соединения AnBVI интенсивно исследуют как материал, перспективный для изготовления светодиодов. [8]
Для соединений A BVI характерна преимущественная проводимость только одного типа. Исключением является теллурид кадмия, который получен с высокой проводимостью как п -, так и р-типа. Теллурид цинка можно получить с большой проводимостью р-типа и с незначительной проводимостью п-типа [17], а остальные халькогениды цинка и кадмия могут быть получены с высокой проводимостью н-типа и незначительной проводимостью р-типа. И только при легировании в термодинамически неравновесных условиях удалось недавно получить теллурид цинка [18, 19] и сульфид кадмия [20] с высокой проводимостью. [9]
Важнейшая задача химии полупроводников заключается в создании новых полупроводниковых материалов. А в настоящее время в промышленной электронике и радиотехнике помимо кремния и германия нашли широкое применение полупроводниковые соединения: антимонид индия, арсенид галлия, фосфиды индия и галлия, халькогениды цинка, кадмия, ртути, свинца, висмута, сурьмы, а также карбид кремния и др. Число сложных полупроводниковых фаз ( соединений и твердых растворов), перспективных для их практического применения, неуклонно растет из года в год. [10]
Страницы: 1