Cтраница 1
Характер зависимости сопротивления от магнитной индукции определяется физическими свойствами материала преобразователя, а также его формой. Как уже отмечалось, наиболее сильно зависимость сопротивления от индукции проявляется в диске Корбино. Однако диск Корбино из материала с высокой подвижностью носителей зарядов будет иметь сопротивление от нескольких десятых долей ома до нескольких ом, что затрудняет его применение в высокоомных электронных цепях. Кроме того, нагрузочная способность диска Корбино по току сильно ограничена. Это объясняется высокой плотностью тока в зоне центрального электрода. [1]
Характер зависимости сопротивления полупроводника от напряженности магнитного поля за счет снижения подвижности носителей тока, как ранее отмечалось, изменяется при переходе от слабого поля к сильному. В сильном магнитном поле эта зависимость близка к линейной. [2]
По характеру зависимости сопротивления от перемещения подвижного контакта резисторы изготавливаются с функциональными характеристиками и и Д и используются для электронной и фиксированных настроек в радиоприемниках. [3]
По характеру зависимости сопротивления резистора от угла поворота вала подвижной системы резисторы изготавливаются с функциональными характеристиками А, Б, В, Е, И. [4]
У всех рассмотренных омметров характер зависимости сопротивления датчика от влажности материала RX ( W) определяет нелинейность шкалы влагомера при ее градуировке в процентах влажности. Неравномерность шкалы несколько сглаживается в многопредельных приборах при исключении в каждом из диапазонов крайних участков шкалы. [5]
![]() |
Характер зависимости сопротивления от температуры для термосопротивления ( 1 и обычного металлического сопротивления ( 2. [6] |
На рис. 2 графически представлен характер зависимости сопротивления от температуры для ТС и обычного металлического сопротивления. Этот рисунок качественно свидетельствует о том, что полупроводниковые температурные датчики позволяют получить, в сравнении с металлами, новый порядок температурной чувствительности. Нетрудно изготовить, такой полупроводник, величина сопротивления которого меняется в интервале температур JOT 0 до 300 С, например в 1000 раз. [7]
Термометры сопротивления: а - характер зависимости сопротивления от температуры; б - контур взаимозаменяемости термистора; в - тер-мистор, встроенный в общий чехол с сопротивлениями контура взаимозаменяемости. [8]
Термометры сопротивления: а - характер зависимости сопротивления от температуры; б - контур взаимозаменяемости термистора; в - тер-мистор, встроенный в общий чехол с сопротивлениями контура взаимозаменяемости. [9]
Термометры сопротивления: а - характер зависимости сопротивления от температуры; б - контур взаимозаменяемости термистора; в - тер-мистор, встроенный в общий чехол с сопротивлениями контура взаимозаменяемости. [10]
У всех рассмотренных ламповых омметров характер зависимости сопротивления датчика от влажности материала RX ( W) определяет нелинейность шкалы влагомера при ее градуировке в процентах влажности. Неравномерность шкалы несколько сглаживается в многопредельных приборах при исключении в каждом из диапазонов крайних участков шкалы. [11]
На рис. 5.6 6 показан характер зависимости сопротивления сети от сечения проводов. Из графика видно, что соотношение активного и реактивного сопротивлений для распределительных и питающих сетей различно. [12]
![]() |
Схематическое изображение постоянных сопротивлений. [13] |
Параметрами переменных сопротивлений являются величина сопротивления R ( между крайними выводами), номинальная мощность и характер зависимости сопротивления от угла поворота оси контактного устройства. Стандартизованные величины R заключены в пределах от 47 ом до 7 5 мгом, номинальной мощности - от 0 2 до 2 вт. [14]
![]() |
Коэффициенты трения шероховатых каналов. [15] |