Cтраница 1
![]() |
Зависимость электрической прочности от толщины материала50 ( при 20 С и 50 - 60 гц.| Зависимость электрической прочности от частоты50. [1] |
Характер пробоя легко определяется при визуальном осмотре образца; в случае электрического пробоя образуется ряд мелких каналов, в случае термического - один большой канал. [2]
Характер пробоя может быть различным. [3]
![]() |
Зависимость времени, после которого наблюдается пробой, от напряженности электрического поля60.| Зависимость электрической прочности полимеров от температуры50. [4] |
Характер пробоя диэлектрика может быть различным - пробой от действия электрического поля и от воздействия температуры. [5]
Характер пробоя твердого диэлектрика может быть различным. [6]
Смешанный лавинно-тепловой характер пробоя вполне возможен на германиевых переходах, где при пэдаче на переход напряжения, близкого к пробивному, выделяемая в переходе мощность может оказаться достаточной для существенного разогрева перехода. Для кремния в обычных условиях пробой скорее всего носит чисто электрический характер, а лавинно-тепловой пробой, по-видимому, имеет место только при очень высоких температурах. [7]
Характер пробоя воздушного промежутка зависит от величины приложенного напряжения и мощности источника энергии. [8]
Характер пробоя твердого диэлектрика может быть различным. При электрическом пробое немногочисленные ( в начальный момент) свободные электроны в диэлектрике под действием электрического поля достигают критической скорости, достаточной для выбивания новых электронов из нейтральных атомов и молекул, так что возникает ударная ионизация, приводящая к пробою. [9]
Выявить характер пробоя особенно важно в процессе предварительных исследований еще на стадии разработки выключателя, поскольку в зависимости от этого в дальнейшем будут приняты те или иные меры по совершенствованию конструкции выключателя. Тепловой пробой, подобный тому, что изображен на рис. 10 - 6, характеризуется плавной кривой напряжения в околонулевой зоне и может происходить более чем при одном нуле тока. Это имеет место, когда интенсивность выделения энергии в дуге выше, чем скорость ее рассеяния в окружающую среду. [10]
В промежуточном случае характер пробоя смешанный. Поскольку величина 1 / м согласно ( 2 - 56) пропорциональна р, ясно, что лавинный пробой свойствен транзисторам с низкоомным материалом базы. Пусть, например, в германиевом транзисторе L 0 01 см и р 2 ом-см; тогда согласно ( 2 - 56) С / м 120 в и правая часть ( 4 - 79) составит около 1 5 мк. При этом условие ( 4 - 79) выполняется для обычных толщин базы и пробой является лавинным. Если р 10 ом-см, то правая часть ( 4 - 79) равна 30 мк и при wa 20 мк можно считать пробой обусловленным смыканием. [11]
Как отмечалось, характер пробоя р-п перехода связан с удельным сопротивлением полупроводника. При малых рг ( для германия меньше 20 Ом - м) развивается зенеровский пробой, а при больших ( больше 100 Ом - м в германии) - лавинный. В промежуточной области рг оба типа пробоя равновероятны. [12]
Многочисленные лабораторные исследования характера пробоев изоляции, анализ их причин в эксплуатации свидетельствует о том, что в подавляющем большинстве случаев причинами пробоев изоляции являются дефекты, не обнаруживаемые применяемыми методами испытаний. [13]
У стабилитронов с туннельным характером пробоя шум также ничтожно мал. Значительные флуктуации напряжения и тока в этом режиме объясняются возникновением микроплазм на некоторых участках р-п перехода, суммарная площадь которых обычно составляет до 10 % всей площади р-п перехода. Лавинный пробой, развивающийся в этих слабых местах, носит неустойчивый, прерывистый характер, поэтому эффективное напряжение шума стабилитрона в режиме формирования лавинного пробоя может достигать нескольких сотен микровольт. Это явление используется для создания специальных полупроводниковых диодов - генераторов шума. [14]
У стабилитронов с туннельным характером пробоя шум также ничтожно мал. Значительные флуктуации напряжения и тока в этом режиме объясняются возникновением микроплазм на некоторых участках р-п перехода, суммарная площадь которых обычно составляет до 10 % всей площади р-п перехода. Лавинный пробой, развивающийся в этих слабых местах, носит неустойчивый, прерывистый характер, поэтому эффективное напряжение шума стабилитрона в режиме формирования лавинного пробоя может достигать нескольких сотен микровольт. Это явление используется для-создания специальных полупроводниковых диодов - генераторов шума. [15]