Характер - диффузионный процесс
Cтраница 2
 |
Кривые динамического отклика E f ( t иод-селективного поликристаллического электрода в биионной системе ( А - 10 - М KI 10 - M KNO3 2 10 - 2 М КВг. В - 1СГ5 М KI КГ1 М KNO3. [16] |
Каждый из этих участков характеризуется различными процессами, происходящими на поверхности мембраны, соприкасающейся с лналтируеммм раствором. При уве лнчении концентрации мешающего иона выше некоторого предела происходит следующее метающий ион диффундирует из раствора к поверхности мембраны, сорбируется ( по механизму адсорбции или хемосорбции) на ней, вытесняя определяемый ион, который в свою очередь диффундирует от поверхности мембраны в раствор. Все эти процессы приводят к изменению химического строения и структуры поверхности мембраны, что определяет характер дальнейших диффузионных процессов. Второй и третий участки динамических кривых характеризуют мембрану, содержащую на своей поверхности наряду с иодидом также бромид серебра. Так как разница потенциалов между этими двумя кривыми зависит от времени ( и скорости потока), система не может считаться равновесной, и значения коэффициентов селективности будут изменяться в зависимости от условий их определения. [17]
Первый член выражения ( 15 - 16), в котором Cs - концентрация кислорода у поверхности, a k - константа скорости реакции представляет собой скорость поверхностной реакции между кислородом и углеродом, которая зависит от реакционных свойств данного сорта кокса, от концентрации кислорода у поверхности и температуры. Вторым членом выражен диффузионный поток внутрь частицы, вызванный химическим реагированием внутри нее. При этом установлено, что для реакций первого порядка с достаточной для практики степенью точности можно считать второй член выражения ( 15 - 16) не зависящим от характера диффузионных процессов в свободном газовом пространстве. Процесс проникновения кислорода внутрь углерода можно рассматривать как самостоятельный и определяемый лишь характером внутренних диффузионных процессов. [18]
Интерпретируется равновесная диаграмма зависимости температуры перехода С J В - Sm2O3 от давления паров воды. Приведены и обсуждаются данные по кинетике поверхностной кристаллизации чистого кварцевого стекла, а также зависимости скорости кристаллизации от давления кислорода. Рассматриваются результаты измерений температур квазистехиомет-рического плавления кристобалита при низких и кварца при высоких давлениях. Особенное внимание обращено на зависимость кинетики превращения кварцевое стекло кристобалит от характера диффузионных процессов. [19]
Первый член выражения ( 15 - 16), в котором Cs - концентрация кислорода у поверхности, a k - константа скорости реакции представляет собой скорость поверхностной реакции между кислородом и углеродом, которая зависит от реакционных свойств данного сорта кокса, от концентрации кислорода у поверхности и температуры. Вторым членом выражен диффузионный поток внутрь частицы, вызванный химическим реагированием внутри нее. При этом установлено, что для реакций первого порядка с достаточной для практики степенью точности можно считать второй член выражения ( 15 - 16) не зависящим от характера диффузионных процессов в свободном газовом пространстве. Процесс проникновения кислорода внутрь углерода можно рассматривать как самостоятельный и определяемый лишь характером внутренних диффузионных процессов. [20]
 |
Классификация полупроводниковых запоминающих устройств. [21] |
Уменьшение длины канала и, следовательно, увеличение быстродействия, уменьшение площади занимаемой транзистором МДП-типа без существенного уменьшения предельных размеров фотошаблонов могут быть достигнуты использованием технологии двухдиффузионных транзисторов МДП-типа с анизотропным травлением, получившей название V-МДП-технологии. Например, V-МДП-транзистор с каналом л-типа ( рис. 6.2, б) образуется на боковых стенках V-образного углубления, формируемого на поверхности кремниевой пластины анизотропным травлением. Поскольку исток и - типа расположен под стоком л - типа, то исток вообще не занимает площади поверхности исходной пластины и в большинстве случаев служит земляной шиной, не требуя для этого площади на поверхности кристалла. Как следует из рис. 6.2, б, длина канала ( приближенно равная толщине слоя р-типа) может быть порядка 1 мкм и меньше за счет прецизионных по своему характеру диффузионных процессов и при умеренных требованиях к точности изготовления фотошаблонов. [22]
Страницы: 1 2