Cтраница 1
Характер распределения плотности в переходной зоне оказывает значительное влияние на прочность ИП. В самом деле, если этот переход резкий ( высокие значения Dp, Ар и Аротн), то возникает опасность расслаивания изделия при термических и механических нагрузках за счет значительного различия в прочности, коэффициентах теплопроводности и модулях упругости поверхностной корки и сердцевины. С другой стороны, плавный переход ( параметры Dp, Ар и Аротн низкие) приводит к повышению плотности ИП. [1]
Такой характер распределения плотности по высоте изделия обусловлен трением частиц порошка о стенки прессформы. Неравномерная плотность по высоте изделия обусловливает неравномерность прочности и твердости в различных частях изделия и возникновение остаточных напряжений при последующем спекании ( ввиду неравномерной усадки), что приводит в ряде случаев к короблению и даже образованию трещин. При прессовании изделий с отношением высоты к диаметру более 3 применяют прессформы с двусторонним прессованием при неподвижной ( рис. 175, б) и подвижной ( рис. 175, в) матрице. [2]
Такой характер распределения плотности по высоте изделия обусловлен трением частиц порошка о стенки прессформы. Неравномерная плотность по высоте изделия обусловливает неравномерность прочности и твердости в различных частях изделия и возникновение остаточных напряжений при последующем спекании ( ввиду неравномерной усадки), что приводит в ряде случаев к короблению и даже образованию трещин. При прессовании изделий с отношением высоты к диаметру более 3 применяют прессформы с двусторонним прессованием при неподвижной ( рис. 175, б) и подвижной ( рис. 175, б) матрице. [3]
Примерно тот же характер распределения плотности и ее относительных пульсаций сохраняется и при других скоростях. [4]
На рис. 3 изображен характер распределения плотности в зависимости от расстояния между ядрами. На графиках а и б приведены отношения для большого расстояния между ядрами. В этом случае функция плотности б упрощается: в областях. [5]
Положительный знак Q указывает на сигарообразный характер распределения плотности заряда, вытянутого вдоль спиновой оси. [6]
Материал формы оказывает значительное влияние на характер распределения плотности в объеме пеноблока. [7]
В Приуральской НГО хорошо изученным по характеру распределения плотности тепловых потоков является только Березовский район. Здесь величина q рассчитана по 12 геологоразведочным площадям, в большинстве случаев использованы термограммы. Плотность теплового потока равна 63 мВт / м2, колебания ее незначительные. Большие величины ( 73 - 77 мВт / м2) фиксируются в Шаимском районе только по трем площадям. В Карабашском районе скважины с необходимым числом температурных замеров в широком интервале глубин отсутствуют. [9]
В результате расчетов на геолого-газодинамической модели месторождения установлен характер распределения плотности запасов по площади в процессе разработки. Сравнение результатов расчетов на различные даты при разных вариантах отборов показывает, что наиболее ощутимо уменьшается плотность запасов в зонах расположения эксплуатационных скважин. [10]
Температурное поле в теле может быть найдено, если установлен характер распределения плотности теплового потока в теле. Зависимость величины плотности теплового потока от координат устанавливается на основании закона сохранения энергии. Фурье, можно найти выражение для температурного поля. Рассмотрим решение задачи теплопроводности для данного простейшего случая. [11]
Если параметр Ks становится больше, чем 02 / 2 ( Ki a2), то характер распределения плотности снова резко изменяется. [13]
Форма радиальных волновых функций i o и 2 о ( при / 0), а также характер распределения плотности вероятности pBep ( r) r2R обнаружения электрона в сферическом слое между г и ( r dr) представлены на рис. 10.3. Из него следует, что при и 2 электрон в среднем уходит дальше от ядра, а это означает, что он менее прочно связан с ядром. [14]
Соединения типа А В близки к соединениям А2Вб и А3В5 не только по структуре, но и по типу связи ( по характеру распределения плотности), следовательно, они должны быть полупроводниками. [15]