Характер - распределение - примесь
Cтраница 3
Полученные этими тремя способами эталоны, не отличаясь по своему химическому составу, могут различаться характером распределения примесей в основе. [31]
 |
Изготовление сферического шлифа на р-п-переходе. [32] |
В диффузионных структурах обычно контролируют глубину залегания р - n - перехода, поверхностную концентрацию и характер распределения диффундирующей примеси. [33]
Детальное исследование процесса шнурования тока в тиристорах, выключаемых по управляющему электроду, его зависимости от характера распределения примесей в базовых слоях, от величины коэффициента запирания и от геометрии эмиттера и электрода управления должны привести к созданию запираемых тиристоров на токи порядка десятков ампер и напряжения порядка нескольких сотен вольт. [34]
Этим, возможно, и следует объяснить наблюдаемый в работах / 2 3 / близкий к экспоненциальному характер распределения примеси по высоте кристаллизационной колонны при очистке серы и винилацетата. [35]
 |
Распределение элементов - примесей Ag, Си, Cd, Pb, Те, Tl, Sn и Sb по длине образца висмута ( N после зонной плавки. [36] |
Результаты опыта представлены на графиках ( рис. 5 и 6), из которых следует, что характер распределения примеси по длине образца хорошо согласуются с предположениями, выдвинутыми на основании анализа диаграмм состояния. [37]
Однако высокотемпературное окисление кремния приводит к возникновению дислокаций и напряженных областей в местах расположения переходов, изменяет характер распределения примесей. [38]
По нашему мнению, наиболее прост экспериментально и гибок методически метод равновесной перегонки, предполагающий проведение анализа характера распределения примесей как в паровой, так и в жидкой фазах по ходу перегонки. [39]
Как показали Л. М. Беляев и В. А. Перльштейн [44], изменение теплового режима в процессе роста кристалла непосредственно отражается на характере распределения примеси по его объему. [40]
Под структурой ИС понимают определенное расположение ло глубине кристалла локальных областей, отличающихся толщиной, типом электропроводности и характером распределения примеси. [41]
 |
Характер изменения кривых ТДС и распределения примесей вблизи тянутого р - ге-перехода ( ф-на грани, О - вне ее. [42] |
Метод ТДС растровой электронной микроскопии, как это было показано ранее [7,10], позволяет также в первом приближении оценить характер распределения примесей вблизи р-и-перехода. [43]
В работе [251] предложен способ расчета параметров зонного концентрирования для любых значений L / 1, основанный на изучении характера распределения примеси после произвольного числа проходов зоны. [44]
Процесс переогранения в разных условиях протекает неодинаково, что нередко служит причиной различий в морфологии, совершенстве структуры, концентрации и характере распределения примесей, а также в электрофизических свойствах эпитаксиальных слоев. [45]
Страницы: 1 2 3 4