Характер - рост - кристалл
Cтраница 1
Характер роста кристаллов зависит от молекулярного веса полимера и условий кристаллизации, в частности температуры и растворителя. Весьма примечательной особенностью пластинчатых монокристаллов является их толщина, обычно не превосходящая 100 - 200 А. Анализ локальных электронных дифракто-грамм от малых участков таких кристаллов показывает, что одна и та же цепь проходит через них многократно. Таким образом, внутри кристалла полимерная цепь должна приобретать складчатую конформацию. [1]
В постоянную К входят параметры образования центров кристаллизации и роста кристаллов; п - теоретически должно быть целым числом, значение которого определяется механизмом образования зародышей и характером роста кристаллов. [2]
Скорость охлаждения раствора при применении ряда растворителей существенно влияет на процесс депарафинизации в смысле как возможности его осуществления, так и выхода депарафини-рованного масла. Это влияние сказывается прежде всего на характере роста кристаллов парафина и церезина. [3]
Процессы фазового перехода материалов также часто происходят в замкнутых областях; известно, что и в этих случаях эффекты естественной конвекции зачастую играют заметную роль. Установлено [206], что свободноконвективные циркуляционные потоки в жидкостях оказывают существенное влияние на характер роста кристаллов. Еще одной областью исследований, представляющей значительный практический интерес, является анализ процессов смешанной конвекции в полостях, например, теп-лообменных устройств и топливно-энергетических установок. [4]
Во время работы необходимо вести журнал, в котором указываются дата и время каждой операции, условия кристаллизации, а также результаты наблюдений за растущим кристаллом. Важно отмечать отличия в постановке данных опытов от предыдущих, тогда быстрее улавливается связь между условиями и характером роста кристалла. Запись должна производиться по такой форме, чтобы затем удобно было отыскать нужный материал. [5]
 |
Схема образования текстуры при росте осадка. [6] |
Адсорбция поверхностно-активных веществ ( ПАВ) как органического, так и неорганического происхождения на поликристаллическом осадке происходит избирательно, поскольку различные грани кристалла обладают неодинаковой поверхностной энергией. Торможение ( ингибирование) роста одних граней, на которых адсорбировано вещество, и ускорение роста других, свободных, граней вызывает изменение характера роста кристалла и структуры образующегося осадка. ПАВ, специально вводимые в электролит либо присутствующие в растворе в качестве примесей, могут адсорбироваться лишь в определенной области потенциалов. Сопоставление области адсорбции органического вещества с его влиянием на электрохимические и структурные характеристики в процессе электроосаждения позволяет установить природу его адсорбционного действия. [7]
 |
Схема движущих сил процесса кристаллизации из раствора. [8] |
Величины & д могут даже быть различными для различных граней одного и того же кристалла, но наиболее часто измеряются средние величины для какого-либо количества кристаллов. На основании измерений показателя преломления Берг [41] неожиданно показал, что концентрация максимальна на углах и минимальна в центре грани, но чрезвычайно трудно решить, объясняется ли это явление характером роста кристалла или же определенным типом роста кристаллов. [9]
 |
Советский электронный микроскоп. [10] |
Получающиеся при этом изображения обладают настолько большой четкостью, что допускают еще дополнительное увеличение в несколько раз при помощи обычного фотоувеличителя. На рис. I в конце книги приведено электронное изображение кристалла вируса. На снимке виден спиралеобразный характер роста кристалла. [11]
Было обнаружено, что вхождению хрома в кристаллическую решетку способствует добавление к водному растворителю кислоты. Такие добавки, которые изменяют характер роста кристаллов, но сами не входят в их состав, называют минерализаторами. Для выращивания изумрудов требуются температура 500 - 600 С и давление 700 - 1400 атм. [12]
Образование сферолитов при кристаллизации некоторых высокомолекулярных соединений Кейт и Падден [17, 18] объяснили полидисперсностью и высокой вязкостью расплавов. Сферолиты образуются фибриллами, расходящимися из центра. Рост и многократное нерегулярное ветвление расходящихся из одного центра фибрилл приводят к образованию относительно компактной сферолитной структуры. В каждом сферолите кристаллические субъединицы ориентированы вдоль радиусов. Обычный переход от монокристаллов к растущим сферолитам и образование фибриллярных кристаллических структур были объяснены этими авторами расслоением различного рода включений на поверхностях растущих кристаллов. Подобный эффект играет, вероятно, важную роль также и при нерегулярном образовании ответвлений. Такие включения, могущие оказаться эффективными при изменении характера роста кристаллов, представляют собой низкомолекулярные соединения, разветвленные молекулы и молекулы с малой степенью тактичности. В соответствии с этим полидисперсность является одним из важных факторов, определяющих образование сферолитов. [13]
Страницы: 1