Двумерный характер

Cтраница 2

Данное уравнение совместно с (6.18) позволяет вычислить мощность тепловыделения как функцию температуры нормальной матрицы. Результаты расчета приведены на рис. 6.20, из которого видно, что кривые тепловыделения для сверхпроводящего волокна по форме весьма близки к аналогичным кривым для пластины ( рис. 6.18) с той лишь разницей, что характерные значения параметра a. Увеличение допустимых значений радиуса а обусловлено более эффективным отводом тепла в случае круглого волокна, для которого оно носит двумерный характер. [16]

Двухмерная проницаемая матрица.| Распределение давления [ 1 - р / р ( 0, 0, теплового потока [ 2 - q / q ( 0, 0 J по внешней и расхода охладителя по внутренней [ 3 - G / G ( Lx, 0 ] поверхностям пористой матрицы спускаемого аппарата.| Влияние переменных теплового потока, внешнего давления и расхода подаваемого охладителя на продольный поток охладителя внутри обугливающейся проницаемой матрицы. [17]

Математическое описание задачи включает в себя уравнение состояние газа, двухмерные уравнения неразрывности, движения и уравнения энергии для охладителя и матрицы. Типичные примеры расчета транспи-рационного охлаждения приведены на рис. 3.22. Отчетливо проявляется двухмерный характер течения охладителя. Это вызвано отклонением потока в поперечном направлении внутри структуры. Двумерный характер течения в пористом покрытии усиливается по мере повышения внешнего давления в лобовой точке. [18]

Детальное экспериментальное исследование корреляционных явлений может пролить свет на физическую природу механизма возникновения магнитных шумов. Однако решение задачи прямого экспериментального исследования пространственной корреляции магнитных шумов в массивных сердечниках связано с большими трудностями, поскольку в подавляющем большинстве случаев имеется возможность измерять лишь интегральные ( по объему образца) эффекты. Двумерный характер доменной структуры одноосных ТМП позволяет с помощью магнитооптического эффекта Керра получать информацию о поведении намагниченности всего образца, а также выделять сигналы намагниченности отдельных локальных областей ТМП. [19]

Для достаточно больших ky инкремент VQ становится больше Х 1 - и такие возмущения нарастают во времени. Эта неустойчивость сходна с конвекционной неустойчивостью неравномерно нагретой тяжелой жидкости, находящейся в пористой среде. Как и при обычной конвекции инкремент VQ пропорционален градиенту температуры, а возникающее вследствие неустойчивости движение имеет вид несжимаемого взаимозамещения теплых и холодных участков. Но в отличие от обычной конвекции здесь такое замещение имеет двумерный характер: в силу малости kz мы имеем дело с перестановкой длинных трубок с плазмой. [20]

При низких темп-рах, когда все частицы находятся на наипизгаем из этих уровней, система является чисто днумерной. При повышении темп-ры постепенно начинают заполняться все более высокие уровни энергии и система теряет двумерный характер. [21]

Эти причины вызывают образование вокруг частиц поля сил значительной протяженности. Неоднородность его как вдоль поверхности, так и по мере удаления от нее обусловливает различную интенсивность связей. Ионообменные процессы характеризуются сравнительно подвижными связями. Более прочные ковалентные, поляризованные, координационные и водородные связи образуются непосредственно у поверхности, носят практически двумерный характер и являются причиной необменных присоединений и замещений. [22]

Практика применения модификаций нелинейных одномерных моделей для машинного анализа различных транзисторных и интегральных схем показала, что во многих случаях эти модели позволяют получить удовлетворительные результаты. Однако не всегда удается правильно смоделировать условия работы планарного транзистора. Этим объясняется появление более совершенных моделей, учитывающих особенности ллаиарной структуры. К моделям нового поколения следует отнести модель Гуммеля - Пуна [13, 33], которая позволяет отразить работу активной зоны планарного транзистора в условиях высоких уровней инжекции. Среди моделей, описывающих двумерный характер явлений в транзисторе, имеются модели с распределенными цепями, а также более компактные модели с сосредоточенными параметрами. [23]

Процессами, способствующими образованию полосовой ДСС, являются переползание и поперечное скольжение дислокаций. Структура формируется путем зарождения и роста малоугловых границ. Важным для возникновения полосовой ДСС является наличие асимметрии скольжения. Характер дислокационной структуры определяется энергией границ и дальнодействующпми полями напряжений. При ярко выраженной мультпплетности скольжения полосовая структура приобретает двумерный характер. [24]

Принципиальная схема эксперимента по изучению формирования упорядоченных структур в газовом разряде постоянного тока. [25]

Большинство экспериментов были проведены в стоячих стратах тлеющего разряда. Концентрация электронов, их распределение по энергиям, а также электрическое поле сильно неоднородны по длине страты. Электрическое поле относительно велико в голове страты ( в максимуме около 10 - 15 В см 1) - области, занимающей 25 - 30 % длины страты, и мало ( около 1 В см 1) - вне этой области. Максимальное значение концентрации электронов сдвинуто относительно максимальной напряженности поля в сторону анода. Распределение электронов по энергиям имеет бимодальный характер, причем в голове страты преобладает второй максимум, центр которого лежит вблизи потенциала возбуждения атомов буферного газа. За счет высокого плавающего потенциала стенок разрядной трубки страты имеют существенно двумерный характер: разность потенциалов ( центр-стенка) в голове страты достигает 20 - 30 В. Таким образом, в голове каждой страты имеется электростатическая ловушка, которая в случае вертикальной ориентации способна удержать частицы, имеющие достаточно большой заряд и небольшую массу, от падения на расположенный внизу катод, а сильное радиальное поле препятствует их выпадению на стенки разрядной трубки. [26]

Страницы: 1 2