Характеристика - кристалл
Cтраница 2
Работы, посвященные изучению дифракционных свойств кристаллов, содержат информацию трех типов: 1) расчетные и экспериментальные дифракционные характеристики кристаллов; 2) сравнительные отражательные способности замкнутых групп кристаллов в относительных единицах; 3) описательные таблицы свойств кристаллов с 3 - 5-балльными качественными градациями. [16]
Q, соответствующих всей элементарной ячейке обратной решетки или нескольким ячейкам, содержит детальную информацию о характеристиках кристалла и его несовершенствах. Экспериментально I Q) может быть получено с помощью метода, использующего моиохроматич. [17]
Согласно этому правилу молярная теплоемкость твердых тел не должна зависеть ни от температуры, ни от каких-либо характеристик кристаллов. Причины расхождения с опытом классической теории теплоемкости твердых тел состоят в ограниченности используемого закона равномерного распределения энергии по степеням свободы и непригодности его в области низких температур, где среднюю энергию колеблющихся частиц в кристаллической решетке необходимо вычислять по законам квантовой механики. В первоначальной квантовой теории теплоемкости твердых тел, разработанной Эйнштейном, кристалл рассматривается как система N атомов, каждый из которых является квантовым гармоническим осциллятором. [18]
Обычно считают, что ЕА состоит из двух частей: члена Е обусловленного кристаллографической анизотропией, которая является характеристикой недеформированного кристалла, и члена до, обусловленного анизотропией напряжений ( з - напряжения, - константа магнитострикции); Ес в однородном материале является постоянной величиной и, таким образом, не вызывает изменений f Однако неоднородности внутренних напряжений До порядка 5 кг ] мм имеются внутри каждого технического сплава железа, даже в отожженном состоянии. [19]
Важное значение дислокационной структуры излучения определило развитие в рамках сингулярной оптики своеобразной кристаллографии, предмет которой составляет расчет и анализ характеристик фазовых сингулярных кристаллов. [20]
В настоящей главе будут систематически рассмотрены энергетические характеристики различных компонентов структуры вещества по мере их усложнения, начиная со свойств отдельных атомов и кончая характеристиками кристалла в целом. [21]
 |
Схема движения дислокаций в TiC по Роуклайфу. [22] |
В этой теории средняя дислокационная подвижность v связана с приложенным напряжением о соотношением v ( 0 / D) m, где D - константа, являющаяся характеристикой кристалла и зависящая от температуры, а т - константа, величина которой зависит от механизма, определяющего подвижность дислокаций. [23]
Данная постановка интересна по следующей причине Пусть мы хотим изучить морфологию растущею кристалла, для этого необходимо разбить весь обьем шучаемий облает на маленькие ячейки, размер которых выбирается из соображений необходимой свисни подробности в описании Внутри каждой такой ячейки характеристики кристалла пуду) однородными Далее в рамках приведенной выше модели, мы рассчитываем кристалл с масштабом неоднородности в выбранную ячейку. Однако используемые в расчетах правила, бдаюдаря выбранной модели, не зависят от масштаба Действительно, если рост происходит при кинетическом режиме ( считается, что он сохраняется при изменении масштаба), то копиейiрация у поверхности кристалла во всех точках одинакова и равна концентрации и рас пюре Движение границы однозначно определяется особенностями роста конкретно. Гак как мы ociaeMcn в рамках макроскопическою описании, то в широком диапазоне масштаба они одни и [ с же На диффузионное поле примеси также не скалывается масштаб описания, так как ее ко) ффшшент диффузии равен нулю и распределение ее в объеме однородно и равно начальному, а оттеснение примеси происходит по одним и чем же законам Допустим, что юперь необходимо рассчитать морфологию того же кристалла с меньшим, либо большим характерным ра. Но так как правила расчета кристалла при этом не меняются, то в результате расчета мы получим структуру, абсолютно подобную предыдущей - изменяется лишь масштаб неоднородностей Другими словами развитие кристаллической структуры во времени при рассматриваемых условиях роста является автомодельным [1] Следовательно, щучив один из масштабов структуры, мы все знаем и о морфологии в других масштабах ( при другом увеличении) Диапазон масштабов, в которых рост является автомодельным, изменяется 01 достаточно малых ( несколько размеров критического зародыша) до относительно больших ( размер устойчивости гранного кристалла, растущего т раствора) Отметим, что самоподобной является только центральная часть кристалла, именно глядя в центр роста мы при различных увеличениях будем видеть одну и ту же картину, поэтому имеется только автомодельное) ь, а не Фгактпдьносп. [24]
Идеальная форма кристалла - набор граней, определяемых требованиями симметрии, которая присуща данному кристаллу. Одной из характеристик кристалла является стереографическая проекция его идеальной формы, основанная на наборе нормалей, проведенных из центра кристалла к его граням. [25]
Рассмотрим еще один пример применения закона Гесса для расчета такой важной характеристики кристаллического состояния, как энергия кристаллической решетки. Это понятие применимо для характеристики кристаллов с преимущественно ионной связью. Энергия кристаллической решетки - это энергия, которая выделяется при образовании кристалла из газообразных ионов, или энергия, которую надо затратить при разрушении кристалла по гетеролитиче-скому механизму ( см. гл. [26]
В связи с этим при выявлении корреляционной зависимости каких-либо характеристик кристаллов от ионных радиусов входящих в состав этих кристаллов элементов необходимо учитывать занимаемую указанными элементами позицию в структуре кристалла. В соответствии с этим на рис. 77 представлена зависимость измеренной на частоте 1 кГц диэлектрической постоянной гранатов от ионного радиуса Y3 и замещающих иттрий TR3, находящихся в восьмерной координации. [28]
Соотношение вкладов в оптическую силу тепловой линзы, измене - - ния коэффициента преломления и выпучивания торцов элемента, как видно из (1.30), не зависит от накачки и определяется только длиной элемента / а. Как правило, / а составляет 5 - 10 см. Используя характеристики кристалла, приведенные в табл. 1.1, легко найти указанное выше соотношение. АИГ-Nd дает температурное изменение коэффициента преломления. [29]
Особенно актуальной представляется разработка методов расчета важнейших физических, в том числе оптических, характеристик базисного кристалла ( родоначальника семейства, прототипа) по некоторому минимуму экспериментальных данных с возможностью последующей оценки важных для практики характеристик изоморфных замещенных структур. В этих расчетах необходимо использовать данные прецизионного рентгеновского дифракционного метода определения электронной плотности. [30]
Страницы: 1 2 3 4