Характеристика - лазер
Cтраница 2
Взаимодействие лазерного луча с системой контроля может быть очень сильным, но возможен и обратный процесс, когда эта система действует на лазер. Если взаимное расположение системы и лазера позволяет энергии отражаться обратно в резонатор ( с подходящей фазой, амплитудой и поляризацией), то это может привести к возмущению мод резонатора и к изменению характеристик лазера. [16]
 |
Накопленное количество публикаций по разработке и применению. [17] |
При проведении активной термометрии наиболее часто применяются лазеры. Причина состоит в том, что для лазеров характерны высокая монохроматичность, очень малая расходимость ( порядка 1 мрад) и высокая яркость излучения ( измеряемая в Вт / ( см мкм ср)), на порядки величины превосходящая яркость ламп накаливания и газоразрядных ламп. Эти характеристики лазера позволяют регистрировать зондирующее излучение на фоне любых помех. Широко распространены компактные полупроводниковые лазеры видимого и инфракрасного диапазонов. [18]
Описаны природа н закономерности образования дефектов в эпи-таксиальных слоях полупроводников. Впервые рассмотрены вопросы стехиометрии при жидко - и газофазной эпитаксии. Особое внимание уделено влиянию электрически активных дефектов на характеристики ин-жекционных лазеров, светодиодов и других полупроводниковых приборов. [19]
 |
Примеры ватт-амперных характеристик непрерывных полосковых гетеролазеров. [20] |
В жидких лазерных материалах может быть достигнута концентрация активных ионов того же порядка, что и в лазерных стеклах. Это позволяет получить большие энергии и мощности излучения с единицы объема активного вещества. В то же время сильная зависимость показателя преломления от температуры обусловливает значительные оптические неоднородности, возникающие при накачке активной среды, что приводит к ухудшению генерационных характеристик лазеров и увеличению расходимости лазерного пучка. Применение прокачки активной жидкости через лазерную кювету позволяет реализовать как периодический, так и непрерывный режим работы лазера. [21]
Высоко оценивая аналитическую значимость такого подхода, вряд ли стоит переоценивать его сегодня как метод инженерного расчета лазера на неодимовом стекле. В то же время использование ряда экспериментальных данных о плазме лампы накачки позволяет с вполне достаточной для физических, а иногда и инженерных задач точностью рассчитывать характеристики лазера на неодимовом стекле. [22]
В табл. 11.1 приведен список газовых лазеров непрерывного действия, которые использовались для голографии, а также приведены некоторые их параметры. Ограничиваться газовыми лазерами непрерывного действия не обязательно, однако в настоящее время именно они большей частью используются в качестве источников света для голографии. Если когерентность света твердотельных импульсных лазеров будет существенно улучшена, они смогут успешно конкурировать с газовыми лазерами. В табл. 11.1 приведены характеристики лазеров, которые можно получить двумя различными способами селекции мод. [23]
 |
Сравнительные характеристики лазеров и СИД. [24] |
Этот раздел посвящен описанию основных характеристик источников. В таблице 8.1 представлены характеристики лазеров и светоизлучающих диодов. [25]
Это связано с тем, что поперечный размер лазерной моды в полосковых лазерах сравним с шириной пространственного распределения коэффициента усиления. В максимуме интенсивности лазерной моды происходит наиболее эффективный съем инверсии, вследствие чего распределение инверсии и коэффициента преломления становится более благоприятным для генерации другой моды. Изменение генерируемой моды обусловливает особенности ватт-амперных характеристик полоскового лазера. [26]
Порядок изложения материала в данной книге соответствует рассмотрению лазера ( на что мы указывали выше в этой главе) как устройства, состоящего из следующих трех основных элементов: 1) активной среды, 2) системы накачки и 3) подходящего резонатора. Поэтому следующие три главы посвящены соответственно взаимодействию излучения с веществом, процессам накачки и теории пассивных оптических резонаторов. Общие представления, данные в этих главах, используются затем в гл. Такое рассмотрение действительно позволяет описать большинство характеристик лазера. Очевидно, лазеры, в которых применяются разные активные среды, существенно различаются по своим характеристикам. [27]
В ИК спектрах таких кластеров сохраняется отчетливый изотопический сдвиг за счет колебаний в молекуле SFs, что позволяет их изотопически-селективно возбуждать ИК излучением. Однако энергия диссоциации кластера очень мала, и он диссоциирует при поглощении одного ИК фотона. Метод был успешно опробован для разделения изотопов серы ( SFe), кремния ( SiF4) и брома ( СРзВг) при использовании СО2 - лазера непрерывного действия. Преимуществами метода являются очень умеренные требования к характеристикам ИК лазера, так как для возбуждения первого колебательного уровня кластерной молекулы можно использовать ИК лазер низкой мощности, работающий в непрерывном режиме, а также простота химического цикла процесса разделения. [28]
Тем не менее было установлено, что излучение возникает за время, меньшее 0 2 нсек, после подачи на диод токового импульса с крутым фронтом. Однако индуцированное излучение возникает несколько позднее, а именно через 1 нсек ( при 78 К) после подачи импульса накачки, если / Макс пор, и через 0 44 нсек, если / макс 5 / пор. Такая задержка обусловлена конечной величиной отрезка времени, необходимого для создания инверсной населенности при протекании тока через р-п-переход. При сверхвысокочастотной накачке ПКГ синусоидальным током эта задержка не влияет на характеристику лазера на СВЧ, обусловливая лишь некоторый сдвиг по фазе между входным и выходным сигналами. Таким образом, если не считать времени задержки включения, не было обнаружено факторов, ограничивающих частотную характеристику самого лазерного диода. Хорошая амплитудно-частотная характеристика полупроводникового ОКГ позволяет использовать его в режиме импульсной амплитудной модуляции излучения с частотой следования импульсов порядка 1 Ггц. [29]
 |
Характеристики лазеров используемых для обработки ПМ. [30] |
Страницы: 1 2 3