Характеристика - электронная лампа
Cтраница 4
Большое сходство характеристик для схемы с заземленным эмиттером с характеристиками электронных ламп позволяет в некоторых случаях использовать методы расчета ламповых схем для расчета устройств на полупроводниковых триодах. Ниже дается связь между ламповыми и ( / - параметрами триода. [46]
 |
И. Реальные ( а и линеаризованные ( б входные характеристики транзистора в схеме ОБ и его эквивалентная схема ( в.| Реальные ( а и линеари. [47] |
Аппроксимация статических характеристик транзистора осуществляется так же, как и характеристик электронных ламп. [48]
UBX вблизи рабочей точки ( рис., Г) будет аналогична характеристике электронной лампы в усилительном режиме. [49]
 |
Схема автогенератора на туннельном диоде. [50] |
Отметим, что вольт-амперная характеристика туннельного диода аппроксимируется выражением (14.18) лучше, чем характеристика электронной лампы. [51]
ФСД и ФСК имеют нижний и верхний криволинейные участки, напоминающие аналогичные участки характеристик электронных ламп. Изменение освещенности фоторезистора влияет на величину напряжений, при которых появляется верхний криволинейный участок: чем меньше освещенность, тем до более высоких напряжений характеристика остается прямолинейной. При очень малых освещенностях в диапазоне допустимых для фоторезн-сторов напряжений обнаружить верхний криволинейный участок характеристик вообще не удается. [52]
 |
Выходные ( а я переходные ( б, характеристики.| Схема для снятия статических характеристик транзистора. [53] |
Для снятия храктеристик транзистора применяются такие же схемы, как и для снятия характеристик электронных ламп. [54]
В настоящее время для инженерных расчетов, как правило, используется линейная аппроксимация характеристик электронных ламп и полупроводниковых приборов, позволяющая применить для исследования эквивалентных схем импульсных устройств линейные дифференциальные или разностные уравнения с постоянными коэффициентами. [55]
Нелинейными искажениями принято называть искажения формы усиливаемого сигнала, возникающие в усилителях из-за нелинейности характеристик электронных ламп -, транзисторов и трансформаторов. Рассмотрим подробнее возникновение нелинейных искажений. На рис. 44 а показана анодно-сеточная характеристика лампы. [56]
Некоторые плоскостные кремниевые диоды с р - п-переходом обладают обратными характеристиками, сравнимыми с характеристиками электронных ламп. Их обратный ток меньше, чем у германиевых диодов, благодаря чему их обратное сопротивление изменяется с температурой значительно меньше, чем у германиевых диодов. [57]
Из рис. 21 можно видеть, что область возможных характеристик транзисторов лежит внутри области, занимаемой характеристиками электронных ламп. Это прежде всего справедливо для такого параметра, как произведение частоты на мощность. Высокочастотный транзистор может быть получен только при крошечных размерах его системы, поэтому он не может быть рассчитан на большую мощность. [58]
Точность фотоэлектрического прибора ограничена прежде всего конструкцией всего прибора в целом, кроме того, чувствительностью фотоэлемента, характеристикой электронных ламп, светофильтров, кювет и других деталей. Ни одна из этих деталей не может быть идеальной. Поэтому каждый прибор может давать некоторые колебания и неточности в своих показаниях. В зависимости от качества прибора эти колебания бывают различными. [59]
Второе и третье требования для УПТ, как и для других усилителей, выполняются при работе на линейных участках характеристик электронных ламп и полупроводниковых приборов. Для выполнения первого условия необходимо отделить полезный выходной сигнал от постоянных составляющих напряжения и тока транзисторного или лампового каскада. [60]
Страницы: 1 2 3 4