Cтраница 3
Начальный участок характеристики передачи Ь0 - bKf определяется в основном такими параметрами, как прямоуголыюсть петли гистерезиса сердечника, начальный ток транзистора и время его перехода из области отсечки в область насыщения. На конечный участок Ькр - Ь оказывают влияние параметры Sw, HQ, Bf сердечника, форма тактового импульса и коллекторного тока, а также падение напряжения на транзисторе. При увеличении числа ячеек нагрузки п коллекторный ток уменьшается и импульс поля, поступающий во входные обмотки сердечников, может оказаться недостаточным дл-я их полного перемагничи-вания, В результате единица будет затухать. [31]
Формулы для характеристик передачи и отражения многоре-зонаторных структур, представляемые в терминах коэффициентов связи резонаторов друг с другом и с подводящими линиями передачи, имеют общий характер, поскольку применимы для различных конструкций связанных ДР. Соотношения для коэффициентов взаимной связи устанавливают зависимости коэффициентов связи от параметров резонаторов, их взаимного расположения и параметров цепей связи. Знание этих зависимостей необходимо для проектирования устройств с диэлектрическими резонаторами. [32]
Такое распределение характеристик передач обеспечивает минимальные крутящие моменты, так как соответствует более высоким частотам вращения первых групп передач из всех возможных вариантов. [33]
![]() |
Графики зависимостей характеристик передачи магнитно-транзисторного элемента от различных факторов. [34] |
Начальный участок характеристики передачи Ьа - Ькр определяется в основном такими параметрами, как прямоуголыюсть петли гистерезиса сердечника, начальный ток транзистора и время его перехода из области отсечки в область насыщения. На конечный участок Ькр - Ь оказывают влияние параметры Sw, / / о, Вг сердечника, форма тактового импульса и коллекторного тока, а также падение напряжения на транзисторе. При увеличении числа ячеек нагрузки п коллекторный ток уменьшается и импульс поля, поступающий во входные обмотки сердечников, может оказаться недостаточным для их полного перемагничи-вания. [35]
![]() |
Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с ОБ. [36] |
Пользуются также характеристиками передачи и характеристиками обратной связи. Характеристики передачи выражают зависимости выходного тока от входного тока. [37]
![]() |
Статические характеристики транзистора. а - выходные, б - входные. [38] |
Пользуются также характеристиками передачи и характеристиками обратной связи. X ар актер и стики передачи выражают зависимости выходного тока от входного тока. Характеристики обратной связи являются зависимостями входного напряжения от выходного напряжения. [39]
Пользуются также характеристиками передачи и характеристиками обратной с язи. Характеристики передачи вы - ражают зависимости выходного тока от входного тока. [41]
Аналитическое выражение для характеристики передачи параллельного ключа найдем с помощью эквивалентной схемы, заменяя диод его эквивалентным сопротивлением, как это было сделано для последовательного диодного ключа. [42]
![]() |
План и профиль трассы УКВ канала. [43] |
С целью получения характеристик передачи в цепи сетки ограничителя усилителя промежуточной частоты УКВ оборудования устанавливался специально откалиброван-ный регистрирующий миллиамперметр с усилителем постоянного тока. Лента записи, показанная на рис. 3, позволила получать непрерывные сведения о силе сигнала, имеющей место на приемном конце, длительности и глубине замираний. [44]
Рассмотрим упругую часть характеристики передачи. [45]