Cтраница 1
![]() |
Характеристика кремниевых стабилитронов по данным фирмы Instrumental. [1] |
Характеристики пробоя уже в этом представлении позволяют видеть, что с одной стороны, динамическое сопротивление кремниевого стабилитрона, определяемое крутизной ветви пробоя, зависит от значения напряжения пробоя, а, с другой стороны, от этого напряжения зависит температурная характеристика пробойного напряжения. Рисунки 14 и 15 показывают эти зависимости непосредственно и более наглядно. [2]
Характеристику пробоев нередко задают в виде границы областей зажигания тиратрона при различных соотношениях напряжений как по величине, так и по знаку между электродами лампы ( гл. Такая характеристика сравнительно просто выглядит только для триодов. При увеличении числа электродов ТТР удобное представление этой характеристики для определения допустимых напряжений между электродами становится затруднительным. Допустимые напряжения между электродами в наиболее опасных, с точки зрения пробоев, промежутках могут быть указаны в перечне параметров тиратрона или в типовых режимах его включения. [3]
Будем исходить пз характеристик пробоя, рассмотренных выше: излучение оптического диапазона частот; объем области фокусировки излучения V ж 10 - 6 см4; длительность пмнуль-са излучения тл ж 30 пс; газ - воздух при атмосферном давлении, гел - да 10го см-3. [4]
Следует заметить, что при определении характеристик пробоя элементов аппаратуры при одинаковых условиях обычно имеет место большой разброс величин пробивного напряжения, нередко достигающий 50 %, поэтому для получения уверенных результатов рекомендуется проводить большое количество измерений, что позволяет определять истинное значение как среднее из нескольких отсчетов. [5]
![]() |
Пробивное напряжение.| Напряжение короны и пробоя для электроотрицательных газов в зависимости от давления. электроды-игла - плоскость при постоянном токе. [6] |
При таком пробое не зависит практически от зазора между эЛектрб - дами. Действительно, характеристики пробоя шарового разрядника в области небольших расстояний являются однозначными, напряжение изменяется монотонно и поэтому уже много лет они используются в качестве стандартных характеристик для градуировки импульсных генераторов, а также при измерениях высоких напряжений переменного и постоянного тока. [7]
Многочисленные измерения пробивных характеристик промежутков с сильнонеоднородным полем показывают, что при всех видах напряжений напряжения пробоя целесообразно описывать нормальным распределением. Тем не менее в большинстве случаев эти значения пригодны для планирования измерений характеристик пробоя. [8]
Необходимо дать дополнительные пояснения по измерению предельного напряжения С / пр. На практике лучше всего проводить измерение обратного напряжения на переходе при максимальной рабочей температуре, так как у некоторых транзисторов величина тока утечки эмиттерного перехода довольно велика и характеристика пробоя перехода имеет плавный вид. [9]
В то же время для создания стабилизированных источников питания аппаратуры на полупроводниковых приборах низковольтный источник опорного напряжения был совершенно необходим. Приблизительно в 1954 - 1955 гг. исследования явлений пробоя кремниевых р-п переходов показали, что таким аналогом стабиловольта может являться кремниевый диод. В некоторых случаях характеристика пробоя кремниевых переходов идет почти параллельно оси токов. До напряжения пробоя вольтамперная характеристика такого диода ничем не отличается от характеристики обычного диода. В то же время в области пробоя при одном и том же значении напряжения на диоде ток может меняться в довольно широких пределах. [10]
Неравномерность изменений напряжения при пробое в сильно неоднородных полях приписывалась влиянию объемного заряда; последний возникает вследствие местной ионизации еще до того, как произойдет пробой промежутка. Для таких газов, как азот, может появиться только положительный объемный заряд. В воздухе присутствуют благодаря наличию кислорода также объемные заряды, состоящие из отрицательных ионов; даже при небольшом количестве таких ионов характеристики пробоя воздуха приобретают сложный характер. Наконец, в случае электроотрицательных газов возможно образование под влиянием ионизации больших объемных зарядов, состоящих из отрицательных ионов; в этом случае характеристики пробоя отличаются сильной неравномерностью изменений. [11]
Неравномерность изменений напряжения при пробое в сильно неоднородных полях приписывалась влиянию объемного заряда; последний возникает вследствие местной ионизации еще до того, как произойдет пробой промежутка. Для таких газов, как азот, может появиться только положительный объемный заряд. В воздухе присутствуют благодаря наличию кислорода также объемные заряды, состоящие из отрицательных ионов; даже при небольшом количестве таких ионов характеристики пробоя воздуха приобретают сложный характер. Наконец, в случае электроотрицательных газов возможно образование под влиянием ионизации больших объемных зарядов, состоящих из отрицательных ионов; в этом случае характеристики пробоя отличаются сильной неравномерностью изменений. [12]
Неоднородности имеют вид темных пятен неправильной формы диаметром около 0 5 мкм, но их структура не установлена. Наличие дефектов в SiO приводит к некоторому разбросу величины напряжения пробоя для конденсаторов, изготовленных одновременно на одной подложке. Величина напряжения пробоя зависит от материала подложки. Чей-кен и Сент Джон [ 18J установили уменьшение этой величины для материалов подложки в следующем порядке: викор, оптическая полировка; пи-реке, оптическая полировка; предметное стекло. Поле пробоя конденсаторов могло быть существенно увеличено за счет нанесения на подложку слоя грунта из пленки SiO толщиной 1 мкм. Металл, выбранный для изготовления обкладок, очень часто влияет на характеристики пробоя структуры. Измерения при пробое слоев NaCl, LiF и криолита ( Na3AlFe) указывают, что из группы металлов Ag. [13]