Характеристика - проводимость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Ничто не хорошо настолько, чтобы где-то не нашелся кто-то, кто это ненавидит. Законы Мерфи (еще...)

Характеристика - проводимость

Cтраница 1


Характеристики проводимостей G0 и Gn ( магнитные характеристики системы) можно принимать за прямые только в том случае, если насыщение стальных участков магнитной цепи отсутствует. Если насыщение имеет место, то характеристики проводимостей строятся по точкам и представляют собой кривые с наклоном в сторону оси абсцисс в области высоких индукций.  [1]

Характеристики проводимости нагрузки могут быть сопоставлены с характеристиками генератора ( при соблюдении соответствующих масштабов), и по их точкам пересечения можно определить запас устойчивости. Это весьма трудоемкий путь ( так как нужно учесть большое количество различных параметров и проделать необходимые вычисления), но он позволяет получить приемлемые результаты. С точки зрения качественного понимания происходящих явлений этот метод весьма удачен.  [2]

Характеристики проводимостей рассеяния Gs всегда прямолинейны, так как потоки рассеяния замыкаются по воздуху.  [3]

4 Зависимость проводимости. [4]

На рис. 2 даны характеристики проводимости канала n - канального транзистора в зависимости от напряжения на затворе при концентрации акцепторов в подложке 1017 см-3. Область дырочной проводимости была получена диффузией бора в материал n - типа с концентрацией доноров 1015 см-3. Такая технология используется для получения транзисторов п - и / 7-типа на одной подложке. Этот способ изготовления дополняющих транзисторов на одной подложке дает обычно несколько больший разброс параметров у структур n - типа.  [5]

Управляющие диоды имеют такую характеристику проводимости в прямом направлении, что их динамическое сопротивление обратно пропорционально току в широком диапазоне. Оно меняется от 1500 ом при 30 мка и до 160 ом при 300 мка.  [6]

Повреждения плоскостных диодов обусловливаются, главным образом, изменением характеристик проводимости в прямом направлении.  [7]

Рис, 2.7 2, а - Схематическая J - [ / - характеристика монополярной проводимости в режиме ТОПЗ для диэлектрика с одним уровнем захвата: / - омическая область, поддерживаемая термической генерацией носителей заряда; 2 - закон Чайлда в присутствии захвата на мелких ловушках; 3 - напряжение предельного заполнения ловушек [ / TFI I - закон Чайлда в отсутствие захвата: он описывает максимально возможное значение тока в режиме ТОПЗ.  [8]

В соответствии с принятыми допущениями и соотношениями рассматриваемых величин составим упрощенное математическое описание характеристик проводимостей рабочих щелей дросселирующих распределителей в рабочей зоне.  [9]

Изучение контактных явлений на границе органического полупроводника и электрода, способного инжектировать в него носители заряда, привлекает внимание также в связи с задачей получения нелинейных и несимметричных характеристик проводимости. Так, Ройкрофт [109] упоминает об опытах с монокристаллом антрацена, на который наносились разнородные электроды: с одной стороны металлический, с другой - CuJ. Однако автор указывает, что явно выраженного выпрямления он не наблюдал.  [10]

Изобара адсорбции кислорода на окиси цинка, приведенная на рис. 4, показывает, что адсорбционное равновесие достигается при температурах несколько выше 450 С. Рассмотрим по отдельности характеристики проводимости в области равновесной адсорбции и неравновесной ( необратимой) адсорбции.  [11]

Характеристики проводимостей G0 и Gn ( магнитные характеристики системы) можно принимать за прямые только в том случае, если насыщение стальных участков магнитной цепи отсутствует. Если насыщение имеет место, то характеристики проводимостей строятся по точкам и представляют собой кривые с наклоном в сторону оси абсцисс в области высоких индукций.  [12]

В параграфе 3.2 была введена величина ka - ар / Ар, названная коэффициентом крутизны характеристики проводимости рабочей щели.  [13]

14 Зависимость механических напряжений от диэлектрических потерь в SiO-пленках ( толщина диэлектриков 2000 - 4500А. [14]

При использовании диэлектриков, необходимых для обеспечения проводимости, ситуация несколько меняется. Для обеспечения достаточной проводимости могут потребоваться кристаллические диэлектрики с добавками примеси с малой шириной запрещенной зоны. Однако в любом случае требуется воспроизводимость характеристик проводимости.  [15]



Страницы:      1    2