Характеристика - идеальный вентиль
Cтраница 1
Характеристика идеального вентиля состоит из двух взаимно перпендикулярных отрезков прямых, из которых один совпадает с отрицательной половиной оси абсцисс, а другой - с положительной половиной оси ординат. Это объясняется тем, что для идеального вентиля сопротивление в прямом направлении тока принимают равным нулю и бесконечности для обратного направления. [1]
Какой вид имеет характеристика идеального вентиля и чем отличается от нее характеристика реального вентиля. [2]
На рис. 22 - 2 приведена характеристика идеального вентиля, там же показано условное изображение вентиля - полупроводникового диода. [3]
На рис. 8 - 2 приведена характеристика идеального вентиля, там же показано условное изображение вентиля-полупроводникового диода. У идеального вентиля падение напряжения в прямом направлении ыпр и ток в обратном направлении 1 обр равны нулю; или иначе: прямое сопротивление гпр и межэлектродная емкость равны нулю, а обратное сопротивление Лбр-бесконечности. [4]
 |
Магнитный усилитель с внутренней обратной связью и транзисторами в качестве выпрямителей. [5] |
Как видим, характеристика транзистора приближается к характеристике идеального вентиля. [6]
Характеристика рис. 1.3, а практически соответствует характеристике идеального вентиля, у которого имеют место нулевое падение напряжения при протекании прямого тока и нулевой ток при приложении обратного напряжения. Следовательно, свойства р-п перехода близки к свойствам идеального вентиля. [8]
На рис. 16 - 1, а показана примерная вольт-амперная характеристика полупроводникового вентиля, а на рис. 16 - 1, б - характеристика идеального вентиля, сопротивление которого в прямом направлении ( гъ) равно нулю, а в обратном ( гобр) - бесконечно велико. Вольт-амперная характеристика идеального вентиля представляет собой от -, резок ( Оа) положительной полуоси тока и отрезок ( Об) - отрицательной полуоси напряжения. [9]
При малом прямом напряжении Ua протекает большой прямой ток, при больших обратных напряжениях - малый тепловой ток. Характеристика рис. 1.3, а практически соответствует характеристике идеального вентиля, у которого имеют место нулевое падение напряжения при протекании прямого тока и нулевой ток при приложении обратного напряжения. Следовательно, свойства р-п перехода близки к свойствам идеального вентиля. [11]
 |
К объяснению образования р - п переходов в вентилях., а купроксных. [12] |
Для получения резко выраженной односторонней проводимости шайбу подвергают формовке, заключающейся в пропускании обратного тока при постепенном повышении напряжения. При этом вольтамперная характеристика селеновых шайб получается значительно приближающейся к характеристике идеального вентиля. [13]
 |
Вольт-амперные характеристики полупроводникового ( а и идеального ( б вентилей.| Вольт-амперная характеристика вентиля ( а и его схема замещения ( б. [14] |
Заменой реальной характеристики вентиля приближенной в виде отрезков прямых ( кусочно-линейная аппроксимация), в частности характеристикой идеального вентиля, широко пользуются, чтобы упростить приближенный расчет режима цепи с вентилями. [15]
Страницы: 1 2