Характеристика - фоторезистор
Cтраница 1
 |
S. Основные параметры некоторых типов фоторезисторов. [1] |
Характеристики фоторезисторов сильно зависят от температуры. [2]
Характеристики фоторезисторов на основе PbS и PbSe могут быть значительно улучшены при охлаждении фоточувствительного элемента до температуры твердой углекислоты ( 195 К) или жидкого азота: ( 77 К) в результате снижения тепловой генерации равновесных носителей тока и сужения ширины запрещенной зоны. [3]
 |
Изменение относительной спектральной чувствительности сернисто-свинцовых фоторезисторов при охлаждении.| Частотные характеристики фоторезисторов. [4] |
Характеристики фоторезисторов, чувствительных к излучению видимого диапазона спектра, оцениваются по воздействию светового потока от эталонных излучателей с температурами 72850 или 2360 К. [5]
Характеристики фоторезисторов ( темновое сопротивление, чувствительность, инерционность) сильно зависят от температуры. Темновое сопротивление и чувствительность с ростом температуры уменьшаются, а постоянная времени т увеличивается. Для большинства фоторезисторов допустимый температурный диапазон составляет от - 60 до 60 С. [6]
Из характеристик фоторезисторов видно перимущество фоторезисторов типа ФСК-1: практическая пропорциональность фототока световому потоку при малых освещенностях. [7]
Конструкция и характеристики фоторезисторов подробно рассмотрены в гл. [8]
Световая или люкс-амперная характеристика фоторезистора представляет собой зависимость фототока / ф / св - / тем от освещенности, или от падающего на фоторезистор светового потока. [9]
 |
Вероятность заполнения энергетических уровней в равновесном состоянии ( кривая / и в неравновесном состоянии ( кривая 2, т. е. при освещении фоторезистора. [10] |
Световая, или люкс-амперная характеристика фоторезистора представляет собой зависимость фототока от падающего светового потока, или от освещенности. Фоторезисторы обычно имеют нелинейную световую характеристику. Такая зависимость объясняется смещением квазиуровня Ферми для электронов и электронного демаркационного уровня к зоне проводимости в результате увеличения избыточной концентрации электронов. [11]
 |
Схема фотоэлектрического преобразователя ПФС. [12] |
Надежность и стабильность характеристик фоторезисторов в большей степени зависит от условий их эксплуатации. Отрицательное влияние оказывают электрические перегрузки, следствием которых является нагрев чувствительного слоя, повышение темнового тока и преждевременное необратимое изменение параметров. Поэтому рекомендуется использовать облегченные режимы работы фоторезисторов. Чувствительность фотоэлектрических устройств зависит от сопротивления нагрузки, включаемой последовательно с фоторезистором. [13]
Поскольку при измерениях характеристик фоторезисторов поток излучения модулируется с частотой / 0, то из ( 5 - 74) можно получить. [14]
 |
Спектральная характери-стика фоторезистора. [15] |
Страницы: 1 2 3