Проходная характеристика

Cтраница 2

Динамическая характернсти-ка a - Si-ТПТ ( т - продолжительность импульса, нс. [16]

Измерение проходных характеристик a - Si-ТПТ путем приложения пульсирующего напряжения на затвор [13] показало время установления тока в канале 1 мкс. [17]

Динамическая характернсти-ка a - Si-ТПТ ( т - продолжительность импульса, не. [18]

Измерение проходных характеристик a - Si-ТПТ путем приложения пульсирующего напряжения на затвор [13] показало время установления тока в канале 1 мкс. Ширина полосы пропускания а: 81 - ТПТ, оцененная с помощью обычной МОП-теории, составила величину порядка 2 МГц для транзистора с подвижностью 1 9 см2 / ( В с), длиной канала 10 мкм, перекрытием электродов 5 мкм при напряжении на стоке 10 В. [19]

Проходные характеристики образцов ГПТ при отношении концентраций Na0 / NKU 0 35. 0 4. 0 45. [20]

Семейства проходных характеристик приведены на рис. 3 для транзисторов. [21]

Варианты применения микросхем серии 235. о - усилитель-ограничитель. в - частотный детектор с ограничителем. в - детектор AM сигналов и АРУ с усилителем постоянного тока. t - коммутатор ВЧ цепей 3X1. д - коммутатор с трансформаторным входом. - формирователь импульсов с регулируемым порогом. ж - управляемый делитель напряжения. з - преобразователь частоты с трансформаторным выходом. и - балансные смеситель. к - кольцевой балансный модулятор. [22]

Крутизна проходной характеристики на частоте 10 МГц превышает 12 мА / В, а на частоте 100 МГц не менее 5 мД / В. [23]

Уравнение проходной характеристики усилителя получается на основании закона равенства ампер-витков ( 10 - 30), если учесть эквивалентную намагничивающую силу обмоток управления и обратной связи. [24]

На ход проходных характеристик сильно влияет величина напряжения на коллекторе. [25]

Рабочий участок проходной характеристики / к ( мб) биполярного транзистора задан значениями тока, приведенными в табл. 8.1. Задавая смещение на базе U0 на середине рабочего участка, аппроксимировать характеристику транзистора полиномом третьей степени. [26]

Кусочно-линейная аппроксимация проходной характеристики транзистора ( рис. 8.3) определяется параметрами: крутизна линейной части 5 400 мА / В, напряжение, соответствующее точке излома, U, 0 5 В. Вывести уравнение колебательной характеристики 1к1 ( Е ], где / Kl-амплитуда первой гармоники коллекторного тока; Е - амплитуда гармонического напряжения на базе. [27]

Для расчета проходной характеристики конкретных конструкций полевых транзисторов целесообразно пользоваться общим выражением этой характеристики, записанным в параметрической форме. [28]

Что называется проходной характеристикой функционального элемента. Какие виды проходной характеристики различаются. [29]

Для построения семейства проходных характеристик были рассчитаны зависимости тока стока и напряжения на затворе от отношения концентраций примесей. Проходные характеристики строились графически по этим зависимостям. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5