Электрофизическая характеристика

Cтраница 2

Получение монокристаллов со стабильными электрофизическими характеристиками, не изменяющимися под действием термических операций, предъявляет жесткие требования к материалу. Содержание кислорода и электрически активных структурных дефектов должно быть сведено к минимуму, необходимо также следить за однородностью распределения примесей. Это связано с тем, что вследствие неконтролируемого изменения концентрации кислородсодержащих комплексов и микродефектов в процессе высокотемпературных обработок может возрасти степень компенсации кристаллов и флуктуации их удельного сопротивления. Для выполнения этих условий следует использовать поликристаллический кремний высокой чистоты; кроме того, установка для выращивания монокристаллов, методы контроля их электрофизических и структурных свойств не должны допускать загрязнения кристаллов посторонними примесями. [16]

Наиболее существенное влияние на электрофизические характеристики алмаза оказывает примесь бора. Кристаллы, легированные бором, обладают р-типом проводимости, и их сопротивление в зависимости от условий роста может изменяться в широких пределах. При изучении морфологии было установлено, что бор в отличие от азота интенсивнее захватывается пирамидами роста граней октаэдра, чем куба. Поэтому интерес представляет выяснение степени анизотропии сопротивления кристаллов, легированных бором. [17]

Температурные зависимости удельной электропроводности ( а и коэффициента термоэдс ( а моносилицидов хрома ( /, марганца ( 2, железа ( 3 и кобальта ( 4. [18]

Несмотря на кристаллографическую изоструктурность, электрофизические характеристики моносилицидов, о чем можно судить по приведенным данным, сильно различаются как по абсолютным значениям и знаку, так и по характеру изменения с температурой. [19]

Изменение активности титанатно-кремнезем. [20]

Отсюда видна возможность целенаправленного изменения электрофизических характеристик монокристаллов, в частности кремния. [21]

Таким образом, по комплексу физико-механических и электрофизических характеристик для создания высокоэффективных эластичных экранирующих материалов можно использовать магнитные графиты с содержанием углеродной составляющей более 40 % ( масс.), наполнение магнитного графита при этом должно составлять более 400 ( масс. ч) на 100 ( масс. ч) эластомерного связующего. [22]

Вместе с тем, значения электрофизических характеристик исходных полупроводниковых материалов в процессе изготовления полупроводниковых приборов нередко претерпевают значительные изменения в результате термообработки, диффузии примесей и других причин. [23]

Для объяснения дырочной проводимости и недостаточно хороших электрофизических характеристик конденсатов германия, образующихся в обычных условиях, предложено несколько гипотез. [24]

Дефекты эпитаксиальных слоев существенно влияют на электрофизические характеристики: удельное сопротивление, время жизни. При высокой концентрации дефектов эпитаксиальные слои имеют неоднородные свойства как по площади, так и по толщине. [25]

В и D, а также электрофизические характеристики среды s u g всюду конечны, непрерывны и обладают производными. Непрерывность векторов поля также нарушается при наличии в пространстве поверхностных зарядов и поверхностных токов. [26]

Повышение tg5 масла с одновременным ухудшением электрофизических характеристик изоляции трансформаторов может происходить и под влиянием лаков в результате недостаточной запечки их при изготовлении трансформаторов. Это явление обычно наблюдается в первоначальный период эксплуатации трансформаторов. При этом химические свойства масла могут быть в пределах норм на свежее масло. [27]

Гетероэпитаксия позволяет получать гетеропереходы, обладающие специфическими электрофизическими характеристиками. Эпитаксия на диэлектрических и металлических подложках открывает большие возможности для разработки новых типов микросхем. [28]

Химический состав поверхности углеродных материалов, их электрофизические характеристики и пористая структура оказывают определяющее влияние на механизм и кинетику электрохимических реакций и поэтому будут подробно рассмотрены в следующих разделах. [29]

По итогам исследований влияния условий работы на электрофизические характеристики датчика СН4 определены оптимальные параметры его функционирования в среде помещений нефтегазового комплекса: рабочая температура 50 С, время установления показаний не более 30 с. Разработано несколько вариантов схем простого и удобного в эксплуатации газосигнализатора, позволяющего осуществлять экспресс-анализ метана и повысить точность измерения его концентрации. Разработано устройство контроля метана для систем автоматизированного микроклимата, позволяющее реализовать непрерывный контроль СН4 в атмосфере помещений и повысить эффективность работы кондиционирующих установок. С учетом погрешностей датчика и схемы прибора суммарная погрешность устройства не превышает 25 %, что соответствует требованиям нормативных документов. [30]

Страницы: 1 2 3 4