Cтраница 2
Как видно из рисунка, термостабильной точке соответствует напряжение на затворе сравнительно близкое к напряжению отсечки. Для большей части стоко-затворной характеристики, лежащей левее термостабильной точки, температурный коэффициент тока отрицателен. При повышении температуры ток стока в этой области уменьшается и также несколько уменьшается крутизна характеристики. [16]
Входное сопротивление для этой схемы составляет около 0 5 ГОм для транзисторов с управляющим р - - переходом и 1 ГОм для транзисторов с изолированным затвором. Особенностью толевых транзисторов является существование особой точки стоко-затворных характеристик. В этой точке, называемой термостабильной, ток стока в широких пределах изменения окружающей температуры остается практически неизменным. [17]
На рис. 4.5 показано ее влияние на стоко-затворную характеристику ( Ь 20 мкм, а. С ростом L уменьшается К и крутизна стоко-затвор ной характеристики. Вольт-амперные характеристики квадратичны 13 ], они выходят из одной точки, так как пороговое напряжение не зависит от длины канала. [18]
![]() |
Схемы включения полевых транзисторов. [19] |
С увеличением температуры контактные напряжения уменьшаются, а это при t / зи const приводит к увеличению эффективного сечения канала. Следовательно, данный фактор при указанных условиях способствует увеличению тока стока. Но с увеличением температуры уменьшается удельная проводимость канала ( см. рис. 1 - 11 6, кривая 2), а это способствует уменьшению тока стока. При определенном значении V зи ( происходит полная взаимная компенсация противоположно действующих факторов и ток стока в этом режиме оказывается практически независимым от температуры. На рис. 4 - 12 а, б показаны стоко-затворные характеристики полевых транзисторов при различных значениях температуры. Для различных типов МДП-транзисторов центр некоторой области наилучшей температурной компенсации стока оказывается смещенным относительно порогового напряжения на ( 0 8 - 3 9) В. [20]