Примерная частотная характеристика - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Дополнение: Магнум 44-го калибра бьет четыре туза. Законы Мерфи (еще...)

Примерная частотная характеристика

Cтраница 1


Примерные частотные характеристики приведены на фиг.  [1]

Примерные частотные характеристики описываемого измерительного устройства приведены на фиг.  [2]

Примерные частотные характеристики струйных усилителей приведены на фиг.  [3]

4 Схема однокаскад-ного реостатного усилителя. [4]

На рис. 4 - 1 показана примерная частотная характеристика усилителя низкой частоты, на которой видны завалы и подъемы усиления. Под завалами понимается уменьшение усиления на крайних частотах полосы пропускания.  [5]

Требуется проанализировать схему I двухполюсника табл. 3 и вычертить примерную частотную характеристику его сопротивления с учетом наличия активного сопротивления обмотки катушки.  [6]

7 Полосовой гС - фильтр.| Заграждающий гС - фнльтр. [7]

На рис. 10 - 31 представлен гС - фильтр верхних частот с примерной частотной характеристикой затухания.  [8]

На рис. 10 - 31 представлен лС - фильтр верхних частот с примерной частотной характеристикой затухания.  [9]

На рис. 10 - 31 представлен rC - фильтр верхних частот с примерной частотной характеристикой затухания.  [10]

11 Устройство фотодиода ( а, фотодиодный режим ( б, вентильный режим ( в, устройство солнечного фотоэлемента ( г. [11]

Переходные процессы в фоторезисторе происходят с постоянной времени, примерно равной времени жизни носителей т тртп. На рис. 12 - 5 6 приведена примерная частотная характеристика фоторезистора в относительных единицах, где & ф ( /) / фт / Фт - интегральная чувствительность фоторезистора к изменениям светового потока, происходящим с частотой /; Фт и / фт-амплитудные значения светового потока и фототока.  [12]

13 Устройство фотодиода ( а, фотодиодный режим ( б, вентильный режим ( в, устройство солнечного фотоэлемента ( г. [13]

Переходные процессы в фоторезисторе происходят с постоянной времени, примерно равной времени жизни носителей Т ТРТП. На рис. 12 - 5, б приведена примерная частотная характеристика фоторезистора в относительных единицах, где & ф ( /) / фт / Фт - интегральная чувствительность фоторезистора к изменениям светового потока, происходящим с частотой /; Фт и / фт -: амплитудные значения светового потока и фототока.  [14]

15 Схема разделения разговорного и сигнального трактов ( а и характеристика ФНЧ ( б. [15]



Страницы:      1    2