Входная выходная характеристика - транзистор
Cтраница 3
Изменение обратных токов и коэффициентов усиления приводит к смещению входных и выходных характеристик транзистора, что может нарушить нормальную работу транзистора или схемы на его основе. [31]
К нелинейным относятся искажения формы усиливаемого сигнала обусловленные нелинейностью входных и выходных характеристик транзисторов или вакуумных ламп. В идеальном случае форма гармонического сигнала должна сохраняться неизменной по всему усилительному тракту. Такие условия возможны только в каскадах предварительного усиления, работающих в режиме малого сигнала на линейных участках своих характеристик. [32]
 |
Статические характеристики транзистора типа р-п - р, включенного по схеме с общим эмиттером. [33] |
На рис. 139 а и б показан примерный вид входных и выходных характеристик транзистора р-п-р-тнпа. При малых значениях напряжения между эмиттером и базой ( f / э-б) ток базы растет медленно из-за большого сопротивления р-и-перехода, которое с увеличением тока уменьшается. K необходимо увеличить напряжение для того, чтобы ток базы остался неизменным. Биполярные транзисторы выполняются из германия и кремния. [34]
 |
Семейства характеристик транзистора. censt. б - i p ( U. [35] |
На рис. 7.9, а, б, в показаны типовые входные и выходные характеристики транзистора. [36]
 |
Построение осциллограмм токов транзистора для ре. [37] |
Применение режима класса АВ приводит к снижению нелинейных искажений, вызванных входными и выходными характеристиками транзисторов. [38]
Расчет такого каскада можно произвести графически с использованием приведенных на рис. 19.3 входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с ОЭ. [39]
Связь между токами в транзисторе и приложенными между его электродами напряжениями выражается вольт-амперными входными и выходными характеристиками транзистора Вид характеристик транзистора зависит от схемы включения. [40]
 |
Положение рабочей точки на входной характеристике транзистора. [41] |
Из рис. 2 и 3 видно, что рабочие точки должны задаваться в областях, где нелинейности входных и выходных характеристик транзистора проявляются слабее. [42]
Ск - емкость коллекторного перехода, также приводится в справочниках: упэ, y1Z3, yzlg и г / 22э - низкочастотные значения У - параметров транзистора при схеме включения с общим эмиттером, которые можно легко определить по статическим входным и выходным характеристикам транзистора. [43]
Входные и выходные характеристики транзистора приведены на рис - в а. При каком включении транзисторов ( с общим эмиттером или общей базой): а) инвертируется входной сигнал; б) максимальное входное сопротивление; в) лучшие частотные свойства. [44]
Какой вид имеют входные и выходные характеристики плоскостного транзистора, включенного по схеме ОЭ. Как изменяется вид входных и выходных характеристик транзистора при повышении температуры окружающей среды. [45]
Страницы: 1 2 3 4