Статическая характеристика - диод
Cтраница 1
 |
Эквивалентная схема СВЧ диода. [1] |
Статические характеристики СВЧ диода практически ничем не отличаются от статических характеристик обычного точечного полупроводникового диода. Так как величина последовательного сопротивления объема полупроводника rs в диапазоне СВЧ имеет большое значение, то детекторы изготовляются обычно из сильнолегированных полупроводников с удельным сопротивлением порядка тысячных долей ома. Напряжение пробоя при этом получается обычно довольно низким. [2]
На статической характеристике диода ( рис. 5.1 а) электрическому пробою соответствует резкое возрастание тока через обратносмещенный р - - переход. [3]
Зная крутизну 50 статической характеристики диода и задаваясь сопротивлением R, мйжно при помощи формул ( 460), ( 461) и ( 462) определить параметры. Опр и решить все вопросы, относящиеся к передаче энергии чррез преобразователь. [4]
Какое влияние оказывает форма статической характеристики диода на показатели работы детектора. [5]
Характеристика () совпадает со статической характеристикой диода с точностью до падения напряжения на сопротивлении TQ. [6]
Две работы посвящены изучению диода: исследуются статические характеристики диода, зависимость барьерной емкости p - n - перехода от напряжения, переходные характеристики. На основании измерений рассчитываются ширина р-га-перехода и распределение примеси в нем, время жизни неосновных носителей, контактная разность потенциалов, а также определяется зависимость сопротивления базы от величины тока диода. [7]
 |
Схема кварцевого генератора на туннельном диоде с П - об разным фильтром. [8] |
В этой схеме напряжение питания на диод подается через потенциометр Rlt Rz для обеспечения положения начальной рабочей точки на падающем участке статической характеристики диода. [9]
Статические входная и выходная характеристики в схеме ОБ ( при С / кв О и / э0 соответственно) подобны прямой и обратной ветвям статической характеристики диода. Поэтому все рассуждения, приведенные в § 11 - 3, могут быть использованы для объяснения температурной зависимости статических характеристик транзистора. [10]
Формула ( 97) показывает, что приращение постоянной составляющей тока увеличивается пропорционально квадрату амплитуды приложенного переменного напряжения. Этот квадратичный закон справедлив для любых статических характеристик диода. Оказывается, что приращение пропорционально второй производной тока по напряжению, взятой в исходной рабочей точке. [11]
Формулы ( 100) и ( 101) дают возможность решить одну из основных задач теории детектирования малых напряжений. Они позволяют найти токи и напряжения низкой частоты, если известны:, статическая характеристика диода, сопротивление его нагрузки и по д-водимое напряжение высокой частоты. [12]
Процесс детектирования прямоугольного радиоимпульса показан на фиг. На диод воздействуют колебания высокой частоты, огибающая которых имеет прямоугольную форму. Для упрощения полагаем, что статическая характеристика диода идеализирована и проходит через начало координат. [13]
На диод воздействуют колебания высокой частоты, огибающая которых имеет прямоугольную форму. Для упрощения полагаем, что статическая характеристика диода идеализирована и проходит через начало координат. Следовательно, при отсутствии сигнала ток через диод равен нулю. [14]
 |
Иллюстрация работы диода Ганна в цепи с индуктивностью в режиме с задержкой образования домена. [15] |
Страницы: 1 2