Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Торопить женщину - то же самое, что пытаться ускорить загрузку компьютера. Программа все равно должна выполнить все очевидно необходимые действия и еще многое такое, что всегда остается сокрытым от вашего понимания. Законы Мерфи (еще...)

Статическая характеристика - полупроводниковый триод

Cтраница 1

Положительные направления токов в полупроводниковых триодах.  [1]

Статические характеристики полупроводникового триода напоминают аналогичные характеристики лампового пентода.  [2]

Анализ вида статических характеристик полупроводникового триода, одно из семейств которых дано на рис. 2 - 16, показывает, что основным нелинейным параметром триода является его входное сопротивление. Сопротивление гк и коэффициент передачи а в активной области характеристик триода практически постоянны.  [3]

Схема полупроводникового усилительного каскада ( с триодом типа п-р - п при отсутствии органа стабилизации режима.| К расчету элементов цепей смешения и стабилизации режима усилительного каскада (.  [4]

Как было указано выше, статические характеристики полупроводникового триода очень сильно изменяются при изменении тем - пературы. При заданных значениях напряжений ибиик токи / жв ig оказываются тем больше, чем больше температура.  [5]

Статические характеристики коллекторного и базового тока триода П602А.  [6]

Остановимся кратко на основных особенностях статических характеристик полупроводниковых триодов и их приближенном аналитическом описании.  [7]

Эта величина, как известно, достигает максимума при некоторой величине коллекторного тока, которая может быть найдена с помощью статических характеристик полупроводникового триода.  [8]

Данные схемы могут быть рассчитаны на основе приведенных эквивалентных схем. Наиболее распространенными статическими характеристиками полупроводникового триода являются семейства коллекторных ( фиг.  [9]

Определение токов и напряжений для гибридных параметров. показан триод р-п - р.  [10]

Усиление по току лежит в пределах от 0 9 до 1 и по существу не зависит от положения рабочей точки. Эти величины указываются в фирменных проспектах или могут быть получены из статических характеристик полупроводниковых триодов.  [11]

Схемы включения полупроводникового триода. а - с общей базой. б - с общим эмиттером. в - с общим коллектором.  [12]

& ти напряжения могут отличаться of Напряжений на переходах на величины падений напряжения при протекании токов через соответствующие области триода. Особенно заметным может быть падение напряжения, возникающее при протекании тока базы через объемное сопротивление базовой области. К статическим характеристикам полупроводникового триода, кроме уже упомянутых зависимостей токов от напряжений, относятся и зависимости, связывающие постоянные токи через электроды триода или напряжения на электродах. Эти зависимости могут быть получены при совместном решении уравнений (5.30) и (5.31) относительно интересующих нас величин.  [13]

Из уравнения (9.21) видно, что Ve является зависимой переменной, а 1е и / е - независимыми переменными. Отсюда немедленно следует, что полупроводниковый триод является токоуправляемым устройством, так как токи представляют собой независимые переменные. При работе с полупроводниковым триодом обычно устанавливают токи в ссответствии с выбранной рабочей точкой, тогда значения напряжений на электродах определяются значениями токов. В соответствии с этим при построении статических характеристик полупроводниковых триодов по оси абсцисс откладываются токи, а по оси ординат - напряжения аналогично тому, как в математике независимая переменная х откладывается обычно по оси абсцисс. Этот способ построения статических характеристик полупроводниковых триодов полезно сравнить со способом построения характеристик электронных ламп, при котором по оси абсцисс откладываются напряжения, а по оси ординат - токи.  [14]

Из уравнения (9.21) видно, что Ve является зависимой переменной, а 1е и / е - независимыми переменными. Отсюда немедленно следует, что полупроводниковый триод является токоуправляемым устройством, так как токи представляют собой независимые переменные. При работе с полупроводниковым триодом обычно устанавливают токи в ссответствии с выбранной рабочей точкой, тогда значения напряжений на электродах определяются значениями токов. В соответствии с этим при построении статических характеристик полупроводниковых триодов по оси абсцисс откладываются токи, а по оси ординат - напряжения аналогично тому, как в математике независимая переменная х откладывается обычно по оси абсцисс. Этот способ построения статических характеристик полупроводниковых триодов полезно сравнить со способом построения характеристик электронных ламп, при котором по оси абсцисс откладываются напряжения, а по оси ординат - токи.  [15]

Страницы:      1