Входная статическая характеристика - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Одежда делает человека. Голые люди имеют малое или вообще нулевое влияние на общество. (Марк Твен). Законы Мерфи (еще...)

Входная статическая характеристика - транзистор

Cтраница 1


Типичные входные статические характеристики транзистора для схемы с общей базой приведены на рис. 7.9, а. Из рисунка видно, что входные характеристики аналогичны вольтамперной характеристике р-п перехода для прямого тока, причем изменение напряжения ( / КБ слабо влияет на ток эмиттера. Это объясняется тем, что электрическое поле, создаваемое напряжением С / КБ в схеме с общей базой, почти полностью сосредоточено в коллекторном переходе и оказывает незначительное влияние на прохождение зарядов через эмиттерный переход. Так, на рис. 7.9, а входные характеристики, снятые при ( / КБ Ф 0, практцчески сливаются.  [1]

Выходные и входные статические характеристики транзистора различны для различных схем включения, так как в каждой из них входными и выходными служат токи и напряжения на разных электродах транзистора.  [2]

Выходные и входные статические характеристики биполярногв транзистора различны для различных схем включения, так как в.  [3]

4 Расчет режима работы ступени на транзисторе по его характеристикам. [4]

Если имеется семейство входных статических характеристик транзистора / б f ( U бэ), то можно построить входную динамическую характеристику путем перенесения по точкам в это семейство выходной динамической характеристики. Поскольку входные характеристики для различных UK3, превышающих 0 5 - И s, расположены очень близко друг к другу, то и динамическая характеристика мало отличается от статических характеристик.  [5]

Вследствие того, что входные статические характеристики транзистора располагаются густо, иногда для упрощения анализа работы и расчета транзисторного каскада входную динамическую характеристику не строят, а просто одну из входных статических характеристик, соотзетствующую некоторому напряжению на коллекторе, отличному от нуля, принимают за динамическую.  [6]

7 Эквивалентные схемы транзистора. [7]

Вследствие того, что входные статические характеристики транзистора располагаются густо, для упрощения процесса расчета транзисторного каскада по статическим характеристикам входную динамическую линию нагрузки обычно не строят, а просто одну из статических характеристик, соответствующую небольшому напряжению на коллекторе, принимают за динамическую.  [8]

Необходимо отметить, что все входные статические характеристики транзистора располагаются очень близко друг к другу.  [9]

10 Схемы включения транзисторов с общей базой ( а, с общим эмиттером ( б, с общим коллектором ( в и входная ( г, выходная ( д вольт-амперные характеристики биполярного транзистора. [10]

На рис. 1.11 г показано семейство входных статических характеристик транзистора, включенного по схеме с ОЭ, которые представляют собой зависимость тока базы от напряжения на базе при постоянном напряжении на коллекторе.  [11]

12 Схема преобразователя частоты с совмещенным гетеродином. [12]

Начальная рабочая точка смесителя выбирается обычно на середине нелинейного участка входной статической характеристики транзистора.  [13]

Как влияет величина напряжения на участке база - коллектор на положение входной статической характеристики транзистора.  [14]

15 Схема исследования транзистора с общим эмиттером. [15]



Страницы:      1    2