Cтраница 1
Типичные входные статические характеристики транзистора для схемы с общей базой приведены на рис. 7.9, а. Из рисунка видно, что входные характеристики аналогичны вольтамперной характеристике р-п перехода для прямого тока, причем изменение напряжения ( / КБ слабо влияет на ток эмиттера. Это объясняется тем, что электрическое поле, создаваемое напряжением С / КБ в схеме с общей базой, почти полностью сосредоточено в коллекторном переходе и оказывает незначительное влияние на прохождение зарядов через эмиттерный переход. Так, на рис. 7.9, а входные характеристики, снятые при ( / КБ Ф 0, практцчески сливаются. [1]
Выходные и входные статические характеристики транзистора различны для различных схем включения, так как в каждой из них входными и выходными служат токи и напряжения на разных электродах транзистора. [2]
Выходные и входные статические характеристики биполярногв транзистора различны для различных схем включения, так как в. [3]
![]() |
Расчет режима работы ступени на транзисторе по его характеристикам. [4] |
Если имеется семейство входных статических характеристик транзистора / б f ( U бэ), то можно построить входную динамическую характеристику путем перенесения по точкам в это семейство выходной динамической характеристики. Поскольку входные характеристики для различных UK3, превышающих 0 5 - И s, расположены очень близко друг к другу, то и динамическая характеристика мало отличается от статических характеристик. [5]
Вследствие того, что входные статические характеристики транзистора располагаются густо, иногда для упрощения анализа работы и расчета транзисторного каскада входную динамическую характеристику не строят, а просто одну из входных статических характеристик, соотзетствующую некоторому напряжению на коллекторе, отличному от нуля, принимают за динамическую. [6]
![]() |
Эквивалентные схемы транзистора. [7] |
Вследствие того, что входные статические характеристики транзистора располагаются густо, для упрощения процесса расчета транзисторного каскада по статическим характеристикам входную динамическую линию нагрузки обычно не строят, а просто одну из статических характеристик, соответствующую небольшому напряжению на коллекторе, принимают за динамическую. [8]
Необходимо отметить, что все входные статические характеристики транзистора располагаются очень близко друг к другу. [9]
![]() |
Схемы включения транзисторов с общей базой ( а, с общим эмиттером ( б, с общим коллектором ( в и входная ( г, выходная ( д вольт-амперные характеристики биполярного транзистора. [10] |
На рис. 1.11 г показано семейство входных статических характеристик транзистора, включенного по схеме с ОЭ, которые представляют собой зависимость тока базы от напряжения на базе при постоянном напряжении на коллекторе. [11]
![]() |
Схема преобразователя частоты с совмещенным гетеродином. [12] |
Начальная рабочая точка смесителя выбирается обычно на середине нелинейного участка входной статической характеристики транзистора. [13]
Как влияет величина напряжения на участке база - коллектор на положение входной статической характеристики транзистора. [14]
![]() |
Схема исследования транзистора с общим эмиттером. [15] |