Вольтамперная характеристика
Cтраница 3
 |
Вакуумный диод. [31] |
Вольтамперная характеристика / а ( f / a) вакуумного диода имеет: участок аб ( рис. 187, б), соответствующий области отрицательных и весьма малых положительных анодных напряжений; участок бв характеризует работу лампы в режиме объемного заряда. В этом режиме при росте напряжения с / а анодный ток Ia может возрасти практически почти от нуля до значения, равного току эмиссии катода. [32]
Вольтамперные характеристики фототранзнстороз типа п-р - п отличаются от аналогичных характеристик фотодиода значительно большей величиной коллекторного тока при положительном напряжении внешнего источника на коллекторе вследствие отпирания эмиттер-ного перехода. При подаче на коллектор отрицательного напряжения фототранзистор вообще не работает. [33]
Вольтамперная характеристика, снятая при различных значениях постоянного напряжения, называется статической характеристикой. [34]
Вольтамперная характеристика может быть получена из этого уравнения при выполнении условий связи, которые могут быть сформулированы следующим образом. [35]
 |
Статические вольтамперные характеристики. [36] |
Вольтамперная характеристика называется падающей ( или отрицательной), если по мере нарастания тока / ов напряжение Uy уменьшается. [37]
Вольтамперная характеристика р - - перехода нелинейна ( рис. 5.28), следовательно, он обладает свойством односторонней проводимости; обладает очень большим сопротивлением при одном ( обратном) направлении внешнего электрического поля и очень малым сопротивлением при другом ( прямом) направлении внешнего электрического поля. При повышении температуры прямой ток через р - - переход возрастает, но незначительно, так как он зависит от концентрации основных носителей заряда. Концентрации основных носителей заряда ( п и р) при комнатной температуре растут незначительно, потому что они близки к примесному насыщению. [38]
 |
Возникновение релейного эффекта. [39] |
Вольтамперная характеристика / терморезистора соответствует температуре окружающей среды 7, характеристика / / - температуре Т2, / / / - изображает зависимость UT Е - IR. При повышении окружающей температуры от Tt до Т2 вольтамперная характеристика терморезистора опускается. При этом ток вначале возрастает плавно до значения / 2 в точке 2, которая соответствует неустойчивому состоянию схемы, и далее ( гари небольшом повышении температуры) скачком возрастает до / а в точке 3, где устойчиво сохраняет свое значение при постоянстве температуры. Это явление называется прямым релейным эффектом. [40]
 |
Вольтамперные характеристики кремниевого диода Д211 при различных температурах окружающей среды. [41] |
Вольтамперные характеристики одного из кремниевых плоскостных диодов ( Д211) приведены на рис. 4.8. Обратная ветвь характеристики кремниевого диода должна иметь токи насыщения в миллион раз меньше, чем у германиевых диодов. [42]
 |
Статическая вольтамперная характеристика терморезистора. [43] |
Вольтамперная характеристика, помимо конструкции терморезистора и его размеров, определяется также величиной сопротивления образца, параметрами полупроводникового материала, средой, в которую помещен терморезистор, ее температурой и степенью тепловой связи между ним и внешней средой. [44]
Вольтамперная характеристика ветствует несамостоятельно-ионного прибора с холодным катодом му разряду. Точка В соответствует возникновению самостоятельного разряда. Напряжение ия, при котором наступает самостоятельный разряд, называется напряжением зажигания самостоятельного разряда. Выясним, почему это происходит. Увеличение тока через прибор сопровождается увеличением плотности объемного заряда между электродами. Поскольку тяжелые ионы перемещаются медленнее, чем электроны, то вблизи катода накапливается положительный заряд, плотность которого р ( х) велика ( рис. 8.5 а), а вблизи анода, где электронов много, а ионов мало, заряд будет отрицательным, причем величина этого заряда будет небольшой, так как электроны движутся быстро. Наличие положительного объемного заряда ионов приводит к повышению потенциала в промежутке катод - анод и особенно сильно вблизи катода. На рис, 8.56 пунктиром изображено распределение потенциала для несамостоятельного разряда ( объемный заряд невелик), а сплошной линией-распределение потенциала для самостоятельного разряда. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5