Вольтамперная характеристика - контакт
Cтраница 1
 |
Зависимость сопротивления контакта металл-полупроводник при малом напряжении на контакте от работы выхода металла для селена. [1] |
Вольтамперная характеристика контакта металл - полупроводник обычно имеет вид, близкий к (2.38), однако величина тока насыщения / s определяется более сложным путем и не всегда может быть рассчитана. [2]
 |
Кривые зависимости величины тока от напряжения постоянного тока, при котором гаснет дуга при различных расстояниях между контактами. [3] |
Рабочая вольтамперная характеристика контактов получается из предельной путем введения некоторого коэффициента запаса по напряжению. При заданной величине тока рабочее напряжение берется в 2 - 3 раза меньше предельного напряжения, полученного из предельной характеристики контактов. [4]
Вольтамперную характеристику контакта можно получить, если ток через контакт рассматривать в виде суммы двух токов: из полупроводника в металл и из металла в полупроводник. [5]
Выражение (1.17) описывает вольтамперную характеристику контакта полупроводника с металлом. [6]
 |
Вольтамперная характеристика контакта полупроводника с металлом для тонкого ( / и толстого ( 2 запорных слоев. [7] |
Для получения более точного уравнения вольтамперной характеристики контакта необходимо учитывать характер движения носителей через запорный слой, определяемый его толщиной. [8]
Все это усложняет задачу подсчета вольтамперной характеристики контакта, а на опыте приводит к искаженному ее ходу, нарушающему работу той схемы, в которой применяется детектор. [9]
Зависимость тока от напряжения, или вольтамперная характеристика контакта, по диффузионной теории вычисляется из условия, что поток электронов состоит из двух составляющих: диффузионной и омической. [10]
Шунтирование туннельных КД применяется для создания без-гистерезисной вольтамперной характеристики контакта. [11]
Эффективность формовки зависит от вида обратной ветви вольтамперной характеристики контакта перед формовкой, плотности тока и постоянной времени разряда конденсатора. Необходимые для большинства точечно-контактных триодов плотность тока и время разряда можно получить от регулируемого источника питания напряжением 100 - 1000 в с конденсатором переменной емкости 0 05 - 0 25 мкф и переменным сопротивлением 0 - 1000 ом. Сопротивление Rz служит для ограничения зарядного тока конденсатора и его величина не имеет существенного значения. Обычно сопротивление R2 выбирается достаточно малым, чтобы время зарядки не лимитировало частоту повторения импульсов формовки. [12]
Здесь В - постоянная, Т - температура, & - постоянная Больц-мана, е - заряд электрона, Vk - контактная разность потенциалов на границе металл-полупроводник. Это уравнение представляет собой вольтамперную характеристику контакта полупроводник - металл. [13]
 |
Типичные вольтамперные характеристики для туннельного контакта Nb3Sn со сверхпроводящим и нормальным индием при 1 7 К. [14] |
Никаких признаков области с отрицательным сопротивлением обнаружено не было. Точно также не было обнаружено области с отрицательным сопротивлением на вольтамперной характеристике контактов Nb3Sn - In. Напряжение, соответствующее этому максимуму, равно приблизительно половине энергетической щели индия, и именно в этой точке можно ожидать резкого подъема характеристики, если NbsSn находится в нормальном состоянии. При приложении магнитного поля, превышающего Яс ( 1п), максимум исчезает и кривая имеет плавный подъем. [15]
Страницы: 1 2