Типичная вольтамперная характеристика

Cтраница 1

Типичная вольтамперная характеристика кремниевого р - п - р - - прибора, переведенного в проводящее состояние в прямом направлении, изображена на фиг. Наименьшее значение тока в проводящем состоянии называется поддерживающим током. Это минимальный ток, при котором прибор еще остается в открытом состоянии при отсутствии тока в управляющей цепи. Прямое падение напряжения в р - п - р - п-при-боре, находящемся в открытом состоянии, определяется просто как падение напряжения между анодом и катодом. Оно охватывает, разумеется, падения в контактах и токоотводах. Внутри прибора у центрального перехода наблюдается повышение напряжения, а на двух внешних переходах и на всех четырех областях существует падение напряжения. Надо помнить, что связанный с полем ток создает в отличие от диффузионного тока падение потенциала. Для того чтобы достичь низких падений в прямом направлении, очень выгодно поддерживать времена жизни неосновных носителей на высоком уровне, так как диффузионный ток сильно зависит от их времени жизни. К сожалению, временные характеристики выключения ухудшаются с ростом времени жизни ( см. подразд. [1]

Конструкция точечного диода. [2]

Типичная вольтамперная характеристика точечного диода показана на рис. 6.9, а. Обратная ветвь характеристики точечного диода значительно отличается от соответствующей ветви характеристики плоскостного диода. Ввиду малой площади р-п перехода обратный ток диода мал, участок насыщения невелик и не так резко выражен. При увеличении обратного напряжения обратный ток возрастает почти равномерно. Напомним ( параграф 6.1), что в плоскостных р-п переходах обратный ток возрастает примерно в 2 - 2 5 раза при повышении температуры на каждые 10 С. [3]

Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового транзистора ( см. рис. 2.4, б) имеет два участка. [4]

Типичная вольтамперная характеристика кремниевого диода приведена на рис. 10.21. Для обратного тока диода на рисунке выбран более крупный масштаб. Левее точки - 1 В обратный ток диода резко возрастает. Поэтому наибольшей нелинейностью обладает участок характеристики между точками ( - 1 0В - - 1 0 В), а оптимальное положение рабочей точки совпадает с началом координат. [5]

Влияние сопротивления потерь Rs на вид вольт-амперной характеристики р-п перехода. а - - - - вольт-амперная характеристика без потерь, .. вольтамперная характеристика с учетом потерь. б-учет сопротивления потерь. [6]

Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода показана на рис. 135, а, где через Is обозначен обратный ток. [7]

На рис. 165 показаны типичные вольтамперные характеристики тиристора. [8]

Типичные вольтамперные характеристики. [9]

На рис. 4.3 показаны типичные вольтамперные характеристики германиевого диода. [10]

На рис. 143, а приведена типичная вольтамперная характеристика карборундового ( тиритового) диска диаметром 50 мм и высотой 10 мм. [11]

Теперь полагают, что в большинстве случаев резкий рост тока обусловлен ударной ионизацией и образованием лавины ( см. гл. Типичная вольтамперная характеристика р - / г-перехода изображена на фиг. [12]

Типичные характеристики электролюминесцентного диода из арсенида галлия. [13]

Рассмотрим некоторые параметры инжекционных электролюминесцентных диодов, выполненных на основе арсенида галлия, а также карбида кремния. Типичная вольтамперная характеристика электролюминесцентного диода из арсенида галлия приведена на рис. 4.4 а. [14]

Частотные характеристики.| Кривая нарастания и спадания фототока у ФС-В2.| Световые характеристики ФС-Б2, снятые при различных напряжениях. [15]

Страницы: 1 2