Высокочастотная характеристика

Cтраница 2

Из вышепроведенных рассуждений видно, что частотная зависимость хкб является самой важной при определении высокочастотной характеристики усилителя с RC-связью. Частотная зависимость уи следующего каскада является менее важной и используется для улучшения характеристик усилителя. Частотные зависимости yd и рбк существенны только на очень высоких частотах или в необычных условиях работы схемы. [16]

В § 1 дается краткий обзор теоретических расчетов уширения уровней Ландау, тензора проводимости и высокочастотных характеристик. В § 2 описываются явления переноса в реальных инверсионных слоях и их интерпретация. [17]

Величина допусков влияет также на отражения высокочастотной мощности от отдельных диафрагм, а следовательно, на высокочастотные характеристики диафрагмированного волновода. [18]

Принципиальная схема ТПО-В. [19]

К этой группе относятся приборы ТПО-В, ИДП-3, ТМ-57 и др., оснащенные датчиками, имеющими сравнительно высокочастотную характеристику. [20]

Вариант расположения ВИПов, показанный на рис. 4.14, а, наиболее рационально применять для схем с высокочастотными характеристиками и импульсными нагрузками. [21]

Зависимость коэффициента усиления по напряжению от частоты для усилителя на кристаллическом тетроде. [22]

Как упоминалось в введении к этой главе, в настоящее время в деле создания кристаллических триодов с более высокочастотными характеристиками достигнуты определенные успехи. Некоторые наиболее значительные работы в этой области будут изложены в настоящем параграфе. [23]

Моделирующие устройства постоянного тока, используемые. [24]

Время решения ( время, требующееся для выполнения сходимости) увеличивается в соответствии с постоянной времени интегратора КС, но свойственная интегратору плохая высокочастотная характеристика может предупредить неустойчивость при высоких частотах. В качестве компромиссного решения к усилителям с высоким усилением можно добавить небольшие интегрирующие конденсаторы ( от Ю до 200 пф), показанные пунктирными линиями на рис. 5 - 24, б; в этом случае интегрирование будет возможно при высоких частотах. Однако применение интегрирования не гарантирует устойчивости решения при высоких частотах, ( а) Устойчивость вычислительных устройств для решения уравнений. [25]

Влияние геометрии проводника и диэлектрической постоянной подложки на. [26]

Из рис. 15 видно, что паразитную емкость между токоведущими дорожками необходимо принимать во внимание при конструировании тонкопленочных линейных микросхем, особенно с высокочастотными характеристиками. [27]

Несмотря на то, что в таком усилителе нагрузка по переменному току не может изменяться так, как в усилителе с трансформаторной связью, его высокочастотная характеристика не ограничивается индуктивностью рассеяния. [28]

Определив таким образом функцию F ( a) и повторяя рассуждения, проведенные для ядер I типа, мы придем к тем же результатам о возможности определения высокочастотных характеристик сигнала и шума. [29]

К основным характеристикам трубки, определяющим область ее применения, относятся: чувствительность к отклонению, диапазон рабочих напряжений, оптические свойства экрана, длительность свечения и цвет послесвечения, максимальная скорость записи, высокочастотные характеристики трубки, сопротивление и емкость пластин, формат экрана, габариты трубки. [30]

Страницы: 1 2 3 4