Cтраница 4
Спектральная характеристика показывает зависимость спектральной чувствительности от длины волны падающего на фотодиод света. [46]
Спектральные характеристики этого типа имеют отрицательные ветви по той же самой причине, по которой их имеют соответствующие колориметрические кривые смешения. [47]
![]() |
Спектральная характери-стика фоторезистора. [48] |
Спектральная характеристика ( рис. 9 - 12) выражает относительное ( в процентах) изменение фототока в зависимости от длины волны падающего на фоторезистор света. Полупроводниковые фоторезисторы, изготовленные из различных материалов, работают в чрезвычайно широком диапазоне волн: от инфракрасных лучей до рентгеновских и гамма-лучей. [49]
![]() |
Спектральные характеристики фоторезисторов. [50] |
Спектральная характеристика ( рис. 2 - 101) выражает относительное ( в процентах) изменение фототока в зависимости от длины волны падающего на фоторезистор света. Различают общий диапазон, волн, к которым чувствителен фоторезистор ( например, в пределах снижения фототока до 10 % максимального значения) и волну основного максимума. Полупроводниковые фоторезисторы, изготовленные из различных материалов, работают в чрезвычайно широком диапазоне волн: от инфракрасных лучей до рентгеновых и гамма-лучей. [51]
![]() |
Зубчатая передача с тремя последовательными колесами. [52] |
Спектральные характеристики этих параметров должны быть связаны и дополнительно изучены с учетом частоты обработки профиля зуба и класса точности на изготовление. [53]
Спектральная характеристика этих фотоэлементов имеет максимум, совпадающий с видимой частью спектра с некоторым сдвигом в область инфракрасных лучей. [54]
Спектральные характеристики некоторых структурных элементов приведены ниже. [55]
Спектральные характеристики ( рис. 4.2, д) электровакуумных фотоэлементов лежат обычно в пределах видимого спектра. Характеристика ( кривая 1) кислородно-цезиевого фотоэлемента имеет два максимума чувствительности: один в области ультрафиолетового излучения, другой - в области инфракрасного излучения. Это объясняется тем, что при низких частотах, соответствующих инфракрасной области спектра, фотокатодом является монокристаллический слой цезия, расположенный у поверхности катода, а при более высоких частотах, соответствующих максимуму ультрафиолетового излучения, лучистая энергия проникает глубже в толщу фотокатода. В этом случае фотоэлектронная эмиссия начинается из слоя окиси цезия, в котором имеются вкрапленные частицы цезия и серебра. [56]
Спектральные характеристики весьма полезны. Ме-тильные сигналы часто легко выделить, особенно если имеется один резонансный пик. [57]
Спектральные характеристики полезны но недостаточно специфичны. [58]
Спектральные характеристики мало пригодны. Никакого поглощения в ультрафиолетовой области не наблюдается. [59]