Cтраница 1
Спектральные характеристики фотопроводимости определяются действующими в данном полупроводнике механизмами поглощения света и рекомбинации генерированных светом носителей. Фотоэлектрически активными механизмами поглощения света будут такие механизмы оптического поглощения, которые изменяют концентрацию носителей заряда в зоне проводимости или в валентной зоне или в той и другой зонах. [1]
Спектральные характеристики фотопроводимости определяются действующими в данном полупроводнике механизмами поглощения света и рекомбинации генерированных светом носителей. Фотоэлектрически активными механизмами поглощения света будут такие механизмы оптического поглощения, которые изменяют концентрацию носителей заряда в зоне проводимости или в валентной зоне, или в той и другой зонах. [2]
Спектральные характеристики фотопроводимости определяются действующими в данном полупроводнике механизмами поглощения света и рекомбинации генерированных светом носителей. Фотоэлектрически активными механизмами поглощения света будут такие механизмы оптического поглощения, которые изменяют концентрацию носителей заряда в зоне проводимости или в валентной зоне или в той и другой зонах. [3]
На спектральной характеристике фотопроводимости монокристаллической селенистой сурьмы наблюдаются два максимума при длинах волн 0 5 и 1 0 мкм. Монокристаллы обладают анизотропией удельного сопротивления - оно различается на 3 - 4 порядка. Они имеют значительно большую удельную интегральную чувствительность фотопроводимости, чем у поликристаллической селенистой сурьмы. [4]
С понижением температуры спектральная характеристика фотопроводимости смещается в сторону более коротких волн. [5]
Зависимость Дге / ( Х) определяет спектральную характеристику фотопроводимости полупроводника. [6]
Следует отметить, что изложенные ранее методы определения параметров полупроводников с помощью спектральных характеристик фотопроводимости получены на основе анализа фотопроводимости при выполнении условия электронейтральности как в объеме, так и на поверхности образца. Другими словами, при анализе предполагалось, что обязательно существующая вблизи поверхности образца область пространственного заряда не оказывает существенного влияния на рекомбинацию носителей заряда и фотопроводимость, а состояние поверхности можно характеризовать скоростью поверхностной рекомбинации. Введение скорости поверхностной рекомбинации предполагает наличие квазиравновесия между носителями заряда на поверхности и в объеме полупроводника. Из анализа следует, что существование приповерхностных изгибов энергетических зон, значительно превышающих среднюю тепловую энергию носителей заряда, нарушает такое равновесие уже при низких интенсивностях процессов рекомбинации на поверхности. Это приводит к качественным изменениям характеристик фотопроводимости. [7]
Кроме того, если у фоточувствительного полупроводника сопоставить кривую спектрального распределения оптического поглощения со спектральной характеристикой фотопроводимости, то видно, что фотопроводимость наблюдается далеко не во всей спектральной области поглощения данного полупроводника, а лишь в длинноволновой ее части. [8]
Спектральная характеристика фотопроводимости 0фф ( Х) изображена на рис. 7.2 штриховой линией. [9]
Максимум спектральной характеристики фотопроводимости находится при длине волны 0 7 мкм. Фото-резистивный эффект проявляется до длин воли 1 2 мкм. [10]
Одна из этих гипотез объясняет наблюдаемое явление тем, что коэффициент поглощения полупроводникового вещества быстро возрастает с ростом частоты v падающего света. А это приводит к тому, что падающее на поверхность полупроводника излучение в основном поглощается лишь в тонком поверхностном слое. Следовательно, и число возникающих фотоносителей сравнительно невелико и лимитируется небольшой толщиной этого слоя. Понятно, что появление небольшого числа добавочных носителей тока мало меняет общую электропроводность всего полупроводника в целом. Вот почему кривые спектрального распределения поглощения и спектральная характеристика фотопроводимости не совпадают друг с другом. [11]