Cтраница 3
Приведены технические характеристики приборов, описаны типы монтажной аппаратуры и правила монтажа газоанализаторов. [31]
Соответствие технических характеристик установленных щпгэ-вых приборов действительным условиям эксплуатации должно обеспечиваться правильным проектным решением в части электрических измерений электростанции, подстанции. [32]
Ниже приводится техническая характеристика прибора. [33]
Для уточнения технических характеристик приборов опросный лист УВЛ-4 содержит семь вопросов. Ответы на большинство из них требуют проведения дополнительных измерений и расчетов. Это особенно относится к погрешности измерений. [34]
Ввиду разнообразия конструктивных данных и технических характеристик приборов, приводимые ниже численные значения погрешностей следует рассматривать как ориентировочные, иллюстрирующие способ учета условий применения термометров, Учет дополнительных погрешностей имеет смысл только в том случае, когда основная погрешность прибора не выходит из пределов допуска. [35]
Приведенные в технических характеристиках приборов сведения приняты в таком виде, как они регламентированы самими авторами конструкции или их изготовителями. Так, например, погрешность измерения для некоторых приборов указывается либо в линейных единицах, либо в относительных. [36]
В книге приведены технические характеристики приборов и регуляторов, а также основные указания по их установке, пуску и эксплуатации. [37]
В паспорт заносится техническая характеристика прибора и регулярно отмечаются все виды ремонта и проверки. [38]
Порог чувствительности - наиболее важная техническая характеристика прибора, позволяющая оценить возможности прибора. [39]
Габаритные размеры в технических характеристиках приборов, приведенных ниже, указаны в следующем порядке: длина, ширина, высота. [40]
![]() |
Техническая характеристика прибора плотномера-влагомера. [41] |
В табл. 1.1 приведена техническая характеристика прибора. [42]
![]() |
Многоуровневая разводка в БГИС. [43] |
В первом случае для повышения технических характеристик КМДП приборов две кремниевые пластины с МДП-транзисторами изготавливаются обычными методами независимо друг от друга. Затем их лицевые поверхности сглаживают, обрабатывают плазменным травлением и через полиимидные наклеенные пленки с отверстиями устанавливают навстречу друг к другу. Такие конструкции превосходят обычные не только по плотности упаковки элементов ( в 2 раза), но и защищены толстыми кремниевыми подложками от проникающей радиации. [44]
Выбор параметров следящего электроприбора исходя из технических характеристик прибора ( точности, устойчивости и быстродействия) производится методами, изложенными в гл. [45]