Вольт-амперная характеристика
Cтраница 3
Вольт-амперная характеристика с учетом диффузионных и ге-нерационно-рекомбинационных токов ( рис. 1.12) свидетельствует о том, что наличие генерации и рекомбинации увеличивает токи полупроводникового диода. В результате изменения толщины области объемного заряда 6 с изменением напряжения обратный ток оказывается ненасыщенным. [31]
Вольт-амперные характеристики одного из кремниевых плоскостных диодов ( Д211) приведены на рис. 3.41. Кремниевые плоскостные диоды различных типов рассчитаны на различные допустимые прямые токи - от 0 5 до 1600 А. Падение напряжения на диодах при этих токах не превышает обычно 1 5 В. [32]
 |
Вольт-амперные характеристики фотоэлемента с высоким продольным сопротивлением фоточувствительного слоя. [33] |
Вольт-амперная характеристика показывает зависимость фототока от анодного напряжения при постоянном световом потоке. [34]
Вольт-амперные характеристики вакуумных сурьмяно-цезиевы. [35]
 |
Воздействие на фоторезистор импульса света ( а, частотная ( б и спектральные ( в характеристики фоторезисторов. [36] |
Вольт-амперные характеристики сохраняют линейность в очень широких пределах. Наклон нулевой характеристики ( Ф0) определяется темновым сопротивлением Ri или собственной проводимостью полупроводникового вещества. [37]
 |
Варисторный детектор.| Стабилизатор напряжения. [38] |
Вольт-амперная характеристика некоторых диодов имеет особенность, позволяющую использовать их в качестве стабилизаторов напряжения. В прямом направлении вольт-амперная характеристика таких диодов не отличается от характеристики обычных диодов ( рис. 3 - 18 а), но при воздействии напряжения, приложенного в обратном направлении, характеристика диода приобретает резкий излом при некотором напряжении ипр, называемом напряжением пробоя. [39]
 |
Воздействие на фоторезистор импульса света ( а, частотная ( б и спектральные ( в характеристики фоторезисторов. [40] |
Вольт-амперные характеристики сохраняют линейность в очень широких пределах. [41]
 |
Семейство вольт-амперных характеристик ОПТР, изготовленного из гаолмдиацетила, полученного яри 450 С. Температура среды указана на кривых. [42] |
Вольт-амперные характеристики снимаются экспериментально при постоянной температуре окружающей среды. На рис. 6 представлено семейство вольт-амперных характеристик для образца ОПТР, полученного на основе диацетила, по-лимеризованного при 450 С. [43]
Вольт-амперные характеристики должны измеряться для каждого поля электрофильтра при постоянных параметрах технологического процесса. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5