Вольт-амперная характеристика - диод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Жизненный опыт - это масса ценных знаний о том, как не надо себя вести в ситуациях, которые никогда больше не повторятся. Законы Мерфи (еще...)

Вольт-амперная характеристика - диод

Cтраница 3


Что называется вольт-амперной характеристикой диода.  [31]

Какой вид имеют вольт-амперные характеристики диода и стабилитрона.  [32]

Поэтому рабочим участком вольт-амперной характеристики диода ( рис. 11.4) является участок в окрестности начала координат. Вблизи точки иа О внутреннее сопротивление Rt открытого диода достаточно велико. Достаточно большое по величине нелинейное внутреннее сопротивление диода оказывает существенное влияние на общее сопротивление цепи Rt R, вследствие чего суммарное сопротивление также имеет нелинейный характер. При увеличении амплитуды входного напряжения внутреннее сопротивление открытого диода уменьшается и поэтому происходит перераспределение рассеиваемой на сопротивлениях Rt и R энергии. При этом относительная доля передаваемой на выход детектора энергии возрастает, что приводит к постепенному увеличению коэффициента передачи напряжения детектора.  [33]

Рабочим является участок вольт-амперной характеристики диода ( рис. 4.9) с резким нарастанием тока / с - от значения / 1 ( соответствующего началу лавинного пробоя, до тока / 2, определяемого максимально допустимой мощностью рассеяния в диоде. УС оказывается малым даже при заметном изменении тока / с в стабилитроне как при колебании t / BX так и при изменении RH.  [34]

В результате исследования вольт-амперных характеристик кар-бидокремниевых диодов в диапазоне температур ( - 70) - ( 500) С было установлено, что они качественно согласуются с теорией, учитывающей инжекцию носителей в сильнолегированные области, однако при температуре ниже 100 С наблюдается расхождение между рассчитанными и измеренными величинами.  [35]

В результате исследования вольт-амперных характеристик кар-бидокремниевых диодов в диапазоне температур ( - 70) - ( 500) С было установлено, что они качественно согласуются с теорией, учитывающей инжекцию носителей в сильнолегированные области, однако при температуре ниже 100 С наблюдается расхождение между рассчитанными и измеренными величинами. Такое расхождение не является неожиданным, так как при расчете не принимался во внимание захват носителей центрами прилипания. Однако, как указывалось в [7], учет носителей на ловушках необходим хотя бы для того, чтобы оправдать применимость диффузионной теории для описания явлений в компенсированных слоях SiC высокого удельного сопротивления, в которых диффузионная длина дырок очень мала ( вследствие низкой подвижности и малого времени жизни), а дебаевская длина экстремально велика.  [36]

37 Зависимость анодного тока диода от температуры катода при различных постоянных значениях напряжения на аноде. [37]

Этот график называется вольт-амперной характеристикой диода. На рис. 2 - 12 изображена типичная вольт-амперная характеристика диода, используемого в качестве детектора и выпрямителя.  [38]

На рис. 11.2 показаны вольт-амперные характеристики диода - зависимость анодного тока / а от напряжения Ut между анодом и катодом при разных токах накала / нак.  [39]

На рис. 11.2 показаны вольт-амперные характеристики диода - зависимость анодного тока / д от напряжения U между анодом и катодом при разных токах накала / нак.  [40]

41 Германиевый диод Д7.| Усредненные вольт-амперные характеристики диода Д7Ж при различной температуре. [41]

На рис. 25 показаны усредненные вольт-амперные характеристики диода типа Д7Ж при температурах окружающей среды - 50, 20, 50 и 70 С.  [42]

43 Прямая ветвь волы - КООРДИНАТАХ. [43]

Таким образом, построение вольт-амперной характеристики диода в полулогарифмическом масштабе может дать информацию относительно возможных механизмов прохождения тока. Надо учесть, что прямолинейные участки на этой кривой могут плавно переходить один в другой, так что определить их границы точно не представляется возможным. Иногда некоторые участки отсутствуют. Так, для некоторых кремниевых диодов участок, соответствующий рекомбнкацнонному току, может сразу перейти в участок, соответствующий высокому уровню ннжекции.  [44]

В результате получают семейство вольт-амперных характеристик диода, называемых также анодными характеристиками.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5